[發明專利]晶界添加氧化物或氮化物提高釹鐵硼永磁材料性能的方法

無效

• 申請號: 200710037888.6
• 申請日: 2007-03-08
• 公開（公告）號: CN101055779A
• 公開（公告）日: 2007-10-17
• 發明（設計）人: 莫文劍;張瀾庭;劉瓊珍;單愛黨;曹力軍;吳建生
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: H01F1/057
• 分類號: H01F1/057;H01F41/02;C22C1/04;B22F3/10
• 代理公司: 上海交達專利事務所
• 代理人: 王錫麟;張宗明

1、一種晶界添加氧化物或氮化物提高釹鐵硼永磁材料性能的方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)采用鑄錠工藝制成釹鐵硼鑄錠合金或用速凝薄片工藝制成釹鐵硼合金速凝薄片；

(2)將合金先進行粗破碎，氣流磨制成粉末；

(3)加入氧化物或氮化物粉末均勻混合；

(4)混合粉末在磁場取向壓制成型，取向壓制后再將坯件進行冷等靜壓；

(5)將坯件放入高真空燒結爐內，燒結并回火制成磁體；

所述釹鐵硼永磁材料，化學式為Nd_aFe_100-a-b-cB_bM_c，原子百分比：12≤a≤24，5.5≤b≤7，0≤c≤7；M為Dy、Tb、Co、Ga、Al、Cu元素中一種或幾種。

2、根據權利要求1所述的晶界添加氧化物或氮化物提高釹鐵硼永磁材料性能的方法，其特征是，所述的粗破碎，是指通過中破碎機中破碎至80～100目；所述的氣流磨制成粉末，是指通過氣流磨制成平均顆粒直徑為4～5μm的粉末。

3、根據權利要求1所述的晶界添加氧化物或氮化物提高釹鐵硼永磁材料性能的方法，其特征是，所述的氧化物是指氧化鋅、氧化鈣、氧化鉻、氧化錳、氧化鋯、氧化硅中的一種。

4、根據權利要求1所述的晶界添加氧化物或氮化物提高釹鐵硼永磁材料性能的方法，其特征是，所述的氮化物是指氮化鈦、氮化鋁、氮化釩、氮化鈮、氮化釹、氮化鏑、氮化鋱中的一種。

5、根據權利要求3或4所述的晶界添加氧化物或氮化物提高釹鐵硼永磁材料性能的方法，其特征是，所述的氧化物或氮化物粉末顆粒大小低于1μm。

6、根據權利要求3或4所述的提高釹鐵硼永磁材料磁性能、熱穩定性和耐蝕性的方法，其特征是，所述的氧化物或氮化物粉末質量占NdFeB粉末的0.1～5％。

7、根據權利要求1所述的晶界添加氧化物或氮化物提高釹鐵硼永磁材料性能的方法，其特征是，所述的均勻混合，是指采用球磨混粉的方式，氧化物或氮化物粉末在石油醚介質中進行20～90min的均勻混合。

8、根據權利要求1所述的晶界添加氧化物或氮化物提高釹鐵硼永磁材料性能的方法，其特征是，所述的在磁場取向壓制成型，磁場1.5～2.0T；所述冷等靜壓，壓力為150～250MPa。

9、根據權利要求1所述的晶界添加氧化物或氮化物提高釹鐵硼永磁材料性能的方法，其特征是，所述的燒結，燒結溫度為：1040～1140℃，燒結時間為：1～4h。

10、根據權利要求1所述的晶界添加氧化物或氮化物提高釹鐵硼永磁材料性能的方法，其特征是，所述的回火，是指：燒結后再經過900℃和560℃兩次回火，回火時間2h。