[發(fā)明專利]晶片平坦度測(cè)量點(diǎn)分布方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710037779.4
• 申請(qǐng)日: 2007-02-27
• 公開（公告）號(hào): CN101256975A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張斐堯;李福洪;江思明;姚宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 李文紅

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種用于測(cè)量晶片平坦度的測(cè)量點(diǎn)的分布方法。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域中，用于形成大規(guī)模集成電路的半導(dǎo)體晶片，特別是單晶硅晶片，為了滿足在半導(dǎo)體晶片上能夠制造最大可能數(shù)量的半導(dǎo)體器件，要求晶片表面具有很高的平坦度。而且隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入深亞微米時(shí)代，半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，半導(dǎo)體晶片的直徑由原來的6英寸、8英寸到現(xiàn)在的12英寸。如此大面積的半導(dǎo)體晶片需要晶片的正面中心和邊緣部分的平坦程度盡可能接近，都應(yīng)該確保具有要求的平坦度。前述半導(dǎo)體晶片的正面為其上將要制造半導(dǎo)體元件的表面。這意味著要以非常小的邊緣排除量來執(zhí)行平坦度的測(cè)量，并且不僅需要被描述的整體部位(full?site，指能夠在其上形成全部元件的所有表面單元)滿足指定的平坦度值，而且局部(partial?site，指晶片邊緣的表面單元)也應(yīng)當(dāng)滿足指定的平坦度值。

對(duì)于確定半導(dǎo)體晶片的平坦度，申請(qǐng)?zhí)枮?00310123916.8的中國(guó)專利申請(qǐng)公開了一種晶片平坦度評(píng)價(jià)方法?，F(xiàn)有技術(shù)中大都采用光學(xué)測(cè)量的方式，利用光學(xué)掃描設(shè)備，例如KLA-Tencor公司的光學(xué)測(cè)量系統(tǒng)，通過系統(tǒng)自身的操作軟件生成對(duì)應(yīng)于被測(cè)晶片表面的、具有特定布局的測(cè)量點(diǎn)，從測(cè)量點(diǎn)向晶片表面發(fā)射光波并接收反射光，經(jīng)計(jì)算各個(gè)測(cè)量點(diǎn)的光反射率得到晶片表面的平坦度值。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中晶片平坦度得測(cè)量點(diǎn)分布示意圖。如圖1所示，現(xiàn)有測(cè)量點(diǎn)分布方法是將晶片沿圓周方向分成若干等分，測(cè)量點(diǎn)平均分布于半徑方向，每個(gè)半徑方向分布的測(cè)量點(diǎn)數(shù)量相同。圖1中以生成64個(gè)測(cè)量點(diǎn)為例，將圓周分成8等分，每個(gè)半徑上分布8個(gè)測(cè)量點(diǎn)。這種沿半徑平均分布的方法雖然生成算法簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)，但是這種分布方法越到晶片的邊緣測(cè)量點(diǎn)的密度越低，在很大程度上不能真實(shí)反應(yīng)晶片表面的全局平坦程度。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種測(cè)量晶片平坦度的測(cè)量點(diǎn)的分布方法，能夠提高測(cè)量點(diǎn)在晶片表面的分布均勻性，以非常小的邊緣排除量進(jìn)行平坦度的測(cè)量。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種晶片平坦度測(cè)量點(diǎn)分布方法，包括：

測(cè)量所述晶片的半徑R；

將所述半徑劃分為特定數(shù)目的等份；

根據(jù)所述等份確定各同心圓；

沿圓心到圓周的方向以數(shù)量遞增的方式在所述各同心圓的圓周上布置測(cè)量點(diǎn)。

所述特定數(shù)目為5至20之間的自然數(shù)N。

所述各同心圓圓周上測(cè)量點(diǎn)的數(shù)目大于與所述同心圓相鄰的內(nèi)圈同心圓圓周上測(cè)量點(diǎn)的數(shù)目。

所述同心圓的圓心具有一個(gè)測(cè)量點(diǎn)。

所述各同心圓圓周上測(cè)量點(diǎn)的數(shù)目為奇數(shù)。

優(yōu)選地，第一個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為3、第二個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為5、第三個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為7、......第n個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為2n+1。

所述測(cè)量點(diǎn)的位置按極坐標(biāo)的方式確定。

優(yōu)選地，第一個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)的位置為：R/N，0度；R/N，360度/3；R/N，(360度/3)×2；

第二個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)的位置為：(R/N)×2，0度；(R/N)×2，360度/5；(R/N)×2，(360度/5)×2)；(R/N)×2，(360度/5)×3)；(R/N)×2，(360度/5)×4)；

第三個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)的位置為：(R/N)×3，0度；(R/N)×3，360度/7；(R/N)×3，(360度/7)×2)，.....，(R/N)×3，(360度/7)×6；

第n個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)的位置為：(R/N)×n，0’；(R/N)×n，360度/(2n+1))；(R/N)×n，(360度/(2n+1))*2)，......，(R/N)×n，(360度/(2n+1))×2n)，

其中n＝1、2.....N。

優(yōu)選地，所述各同心圓圓周上測(cè)量點(diǎn)的數(shù)目為偶數(shù)。

第一個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為2、第二個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為4、第三個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為6、......第n個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)數(shù)目為2n。

所述測(cè)量點(diǎn)的位置按極坐標(biāo)的方式確定。

第一個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)的位置為：R/N，0度；R/N，360度/2；

第二個(gè)同心圓的圓周上測(cè)量點(diǎn)的位置為：(R/N)×2，0度；(R/N)×2，360度/4；(R/N)×2，(360度/4)×2)；(R/N)×2，(360度/4)×3)；