[發(fā)明專利]保護(hù)膜及其支架無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710037744.0 | 申請(qǐng)日: | 2007-02-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101256352A | 公開(公告)日: | 2008-09-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉戈煒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G03F1/14 | 分類號(hào): | G03F1/14;G03F7/20;H01L21/027;H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 李文紅 |
| 地址: | 201203*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 保護(hù)膜 及其 支架 | ||
1.?一種保護(hù)膜,所述保護(hù)膜包括支架和粘附于所述支架上的薄膜,所述支架的側(cè)壁具有開口,其特征在于:在所述開口處還具有氣體過(guò)濾裝置。
2.?如權(quán)利要求1所述的保護(hù)膜,其特征在于:所述氣體過(guò)濾裝置包含吸附氨氣和/或含硫氣體的濾芯。
3.?如權(quán)利要求1所述的保護(hù)膜,其特征在于:所述氣體過(guò)濾裝置包括活性碳纖維或活性碳粉或沸石的濾芯。
4.?如權(quán)利要求1所述的保護(hù)膜,其特征在于:所述氣體過(guò)濾裝置位于所述開口內(nèi)。
5.?如權(quán)利要求1所述的保護(hù)膜,其特征在于:所述氣體過(guò)濾裝置位于所述開口的任一側(cè)。
6.?如權(quán)利要求1、2或3所述的保護(hù)膜,其特征在于:所述開口處還具有顆粒過(guò)濾裝置,所述顆粒過(guò)濾裝置在保護(hù)膜外的空氣到達(dá)所述氣體過(guò)濾裝置前將所述空氣中的顆粒濾除。
7.?如權(quán)利要求6所述的保護(hù)膜,其特征在于:所述顆粒過(guò)濾裝置與所述氣體過(guò)濾裝置相對(duì)設(shè)置。
8.?一種保護(hù)膜的支架,所述支架的側(cè)壁具有開口,其特征在于:在所述開口處具有氣體過(guò)濾裝置。
9.?如權(quán)利要求8所述的支架,其特征在于:所述氣體過(guò)濾裝置包含吸附氨氣和/或含硫氣體的濾芯。
10.?如權(quán)利要求8所述的支架,其特征在于:所述氣體過(guò)濾裝置包括活性碳纖維或活性碳粉或沸石的濾芯。
11.?如權(quán)利要求8所述的支架,其特征在于:所述氣體過(guò)濾裝置位于所述開口內(nèi)。
12.?如權(quán)利要求8所述的支架,其特征在于:所述氣體過(guò)濾裝置位于所述開口的任一側(cè)。
13.?如權(quán)利要求8、9或10所述的支架,其特征在于:所述開口處還具有用于濾除即將進(jìn)入所述氣體過(guò)濾裝置的氣體中的顆粒的顆粒過(guò)濾裝置,所述顆粒過(guò)濾裝置與所述氣體過(guò)濾裝置相對(duì)設(shè)置。
14.?如權(quán)利要求13所述的支架,其特征在于:所述開口的外側(cè)還具有一個(gè)殼體,所述顆粒過(guò)濾裝置與所述氣體過(guò)濾裝置組裝于所述殼體內(nèi)。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過(guò)帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過(guò)電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過(guò)100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





