[發明專利]化學增幅光刻膠等效擴散模型的建立方法

有效

• 申請號: 200710037715.4
• 申請日: 2007-02-28
• 公開（公告）號: CN101256362A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發明（設計）人: 伍強;王雷;丁華;吳鵬;聞人青青;彭超群
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G06F17/50;G06N7/00;G03F7/038;G03F7/039;H01L21/027
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司
• 代理人: 顧繼光

技術領域

本發明涉及一種等效擴散模型的建立方法，尤其涉及一種化學增幅光刻膠等效擴散模型的建立方法。

背景技術

目前，化學增幅光刻膠等效擴散的模型是一個對任何圖形都相同的均勻擴散模型。這種擴散模型假設光酸生成劑(photoacid?generator)將照射的光轉換成光酸，光酸在經過邊擴散邊催化的過程催化鏈接或者斷鏈反應，以在光刻膠中形成溶解或者不溶解于顯影液的區域。由于光酸的擴散會對空間像的對比度造成影響，而且這種影響會隨擴散長度的增加而增加。但是現在商業化的模擬軟件中所使用的光刻膠等效擴散模型仍然假設了光刻膠的等效擴散長度不隨掩膜板圖形的圖形分布密度變化，因此僅使用擴散長度一個數值來對光刻膠光酸的等效擴散現象進行表征。但是在實際應用中可以發現，對于大多數光刻膠來說，擴散長度對于不同數據率的掩膜板圖形并不是一個常數，而是會隨著掩膜板圖形的圖形分布密度而發生變化，其變化范圍在0到100納米之間。因此現有技術中所使用這種擴散模型會造成對光刻工藝的各項參數的模擬結果不夠精確，使得模擬結果同硅片的實際曝光結果不符。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種化學增幅光刻膠等效擴散模型的建立方法，可同時考慮掩膜板圖形的圖形分布密度對于光刻膠的擴散長度的影響，從而可以建立更為準確的光刻膠等效擴散模型，提高對光刻工藝各項參數的模擬結果的精確度。

為解決上述技術問題，本發明提供了一種化學增幅光刻膠等效擴散模型的建立方法，包括以下步驟：

(1)測量光刻膠對一組不同類型的測試圖形在不同圖形分布密度時的光刻工藝參數；

(2)通過空間像模擬解算出光刻膠光酸對所述不同類型的測試圖形在不同圖形分布密度時的等效擴散長度值；

(3)建立光刻膠光酸的等效擴散長度對各種類型的測試圖形在不同圖形分布密度時的函數或者表格；

(4)根據待模擬圖形的圖形類型及圖形分布密度，選擇該待模擬圖形相應的最佳等效擴散長度值。

本發明由于采用了上述技術方案，具有這樣的有益效果，即通過測量出光刻膠在不同圖形分布密度下的等效擴散長度，建立函數或者列表，然后再在各種光刻工藝模擬軟件中進行使用，由此提高了對光刻工藝各項參數的模擬結果的精確度，減少了硅片曝光的測量工作，從而提高了效率。

附圖說明

下面結合附圖與具體實施方式對本發明作進一步詳細的說明：

圖1是本發明所述化學增幅光刻膠等效擴散模型建立方法的流程示意圖；

圖2a為類型為密集的線條的測試圖形的示意圖；

圖2b為類型為孤立的線條的測試圖形的示意圖；

圖2c為類型為孤立的槽的測試圖形的示意圖；

圖2d為類型為對頂線的二維測試圖形的示意圖；

圖2e為類型為倒T型線的二維測試圖形的示意圖；

圖2f為類型為倒T型槽的二維測試圖形的示意圖；

圖3a-3c為密集的線條對應于不同圖形分布密度時的示意圖；

圖4a-4c為對頂線對應于不同圖形分布密度時的示意圖。

具體實施方式

如圖1所示為本發明所述化學增幅光刻膠等效擴散模型建立方法的流程示意圖，包括以下步驟：