[發明專利]金屬－絕緣－金屬型電容器及其制作方法

有效

• 申請號: 200710037680.4
• 申請日: 2007-02-13
• 公開（公告）號: CN101246910A
• 公開（公告）日: 2008-08-20
• 發明（設計）人: 王媛;張步新
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L29/92
• 分類號: H01L29/92;H01L27/04;H01L21/02;H01L21/822
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1.?一種金屬-絕緣-金屬型電容器，包括：半導體襯底，位于半導體襯底上的層間介電層，其特征在于，還包括：

貫穿層間介電層且露出半導體襯底的絕緣溝槽和兩個金屬溝槽，金屬溝槽位于絕緣溝槽兩側且與絕緣溝槽共用槽壁，其中絕緣溝槽內填充有絕緣物質作為絕緣結構，金屬溝槽內填充有金屬物質作為電容器電極。

2.?根據權利要求1所述的金屬-絕緣-金屬型電容器，其特征在于：所述絕緣結構的臨界尺寸為60nm～180nm。

3.?根據權利要求1所述的金屬-絕緣-金屬型電容器，其特征在于：所述絕緣物質為高K物質。

4.?根據權利要求3所述的金屬-絕緣-金屬型電容器，其特征在于：所述高K物質為氧化鉭、氧化鉿、氧化鋯、氧化鈦、硅酸鉿、氧化鋁、鋇鍶鈦或鉑鋯鈦。

5.?根據權利要求1所述的金屬-絕緣-金屬型電容器，其特征在于：所述電容器電極的臨界尺寸為100nm～500nm。

6.?根據權利要求1所述的金屬-絕緣-金屬型電容器，其特征在于：所述金屬物質為銅或鋁銅合金。

7.?一種金屬-絕緣-金屬型電容器的制作方法，其特征在于，包括下列步驟：

在半導體襯底上形成層間介電層；

在層間介電層中形成貫穿層間介電層且露出半導體襯底的絕緣溝槽；

在絕緣溝槽內填充絕緣物質，作為絕緣結構；

在層間介電層中形成貫穿層間介電層且露出半導體襯底的兩個金屬溝槽，兩個金屬溝槽分別位于絕緣溝槽兩側且與絕緣溝槽共用槽壁；

在金屬溝槽內填充金屬物質，作為電容器電極。

8.?根據權利要求7所述的金屬-絕緣-金屬型電容器的制作方法，其特征在于：

所述絕緣結構的臨界尺寸為60nm～180nm。

9.?根據權利要求7所述的金屬-絕緣-金屬型電容器的制作方法，其特征在于：

所述絕緣物質為高K物質。

10.?根據權利要求9所述的金屬-絕緣-金屬型電容器的制作方法，其特征在于：

所述高K物質為氧化鉭、氧化鉿、氧化鋯、氧化鈦、硅酸鉿、氧化鋁、鋇鍶鈦或鉑鋯鈦。

11.?根據權利要求7所述的金屬-絕緣-金屬型電容器的制作方法，其特征在于：

所述電容器電極的臨界尺寸為100nm～500nm。

12.?根據權利要求7所述的金屬-絕緣-金屬型電容器的制作方法，其特征在于：

所述金屬物質為銅或鋁銅合金。

13.?一種金屬-絕緣-金屬型電容器的制作方法，其特征在于，包括下列步驟：

在半導體襯底上形成層間介電層；

在層間介電層中形成貫穿層間介電層且露出半導體襯底的兩個金屬溝槽；

在金屬溝槽內填充金屬物質，作為電容器電極；

在層間介電層中形成貫穿層間介電層且露出半導體襯底的絕緣溝槽，絕緣溝槽位于兩個金屬溝槽之間且與金屬溝槽共用槽壁；

在絕緣溝槽內填充絕緣物質，作為絕緣結構。