[發明專利]光學近距修正的方法

有效

• 申請號: 200710037675.3
• 申請日: 2007-02-13
• 公開（公告）號: CN101246313A
• 公開（公告）日: 2008-08-20
• 發明（設計）人: 劉慶煒
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;H01L21/027;H01L21/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 逯長明

1.一種光學近距修正的方法，其特征在于，包括下列步驟：

a.將待曝光電路圖形的各邊分割成尺寸為曝光工藝臨界尺寸80％～120％的第一分割邊、第二分割邊......第N分割邊；

b.分別對第一分割邊、第二分割邊......第N分割邊進行一次修正，獲得對應的一次修正邊，并計算一次修正邊掩模誤差增強因子；

c.將第一分割邊、第二分割邊......第N分割邊的一次修正邊掩模誤差增強因子分別與經驗值進行比較；

d.只對掩模誤差增強因子大于或等于經驗值的一次修正邊進行再次修正，獲得對應的二次修正邊，并計算二次修正邊對應掩模誤差增強因子；

e.同理以此類推，只對掩模誤差增強因子大于或等于經驗值的二次修正邊進行再次修正，計算分割邊對應三次修正邊掩模誤差增強因子.......直到只對掩模誤差增強因子大于或等于經驗值的M次修正邊進行M+1次修正，得到所有分割邊對應M+1次修正邊掩模誤差增強因子小于經驗值時結束修正。

2.根據權利要求1所述的光學近距修正的方法，其特征在于：b步驟中一次修正包括如下步驟：

在第一分割邊上選取第一評估點，并對第一評估點進行光強計算；將第一評估點光強值與光強閾值進行比較，根據比較值對第一分割邊進行修正形成第一分割邊對應一次修正邊；以此類推修正第二分割邊、第三分割邊......第N分割邊，形成對應的一次修正邊。

3.根據權利要求2所述的光學近矩修正的方法，其特征在于：一次修正還包括如下步驟：

第一評估點光強值小于光強閾值，將對應分割邊向外移動，形成對應的一次修正邊；當第一評估點光強值大于光強閾值，將對應分割邊向內移動，形成對應一次修正邊；當第一評估點光強值等于光強閾值，將分割邊作為對應的一次修正邊。

4.根據權利要求3所述的光學近矩修正的方法，其特征在于：第一評估點位置＝分割邊中間點±分割邊長10％。

5.根據權利要求1所述的光學近距修正的方法，其特征在于：e步驟中M+1次修正包括如下步驟：

只對掩模誤差增強因子大于或等于經驗值的分割邊的M次修正邊上選取第M+1評估點，并對第M+1評估點進行光強計算；將第M+1評估點光強值與光強閾值進行比較，根據比較值對相應的M次修正邊修正，形成對應M+1次修正邊，其中M為自然數。

6.根據權利要求5所述的光學近距修正的方法，其特征在于：M+1次修正還包括如下步驟：

第M+1評估點光強值小于光強閾值，將對應M次修正邊向外移動，形成對應的M+1次修正邊；第M+1評估點光強值大于光強閾值，將對應M次修正邊向內移動，形成對應的M+1次修正邊；第M+1評估點光強值等于光強閾值，將M次修正邊作為對應的M+1次修正邊，其中M為自然數。

7.根據權利要求6所述的光學近距修正的方法，其特征在于：第M+1評估點位置＝M次修正邊中間點±M次修正邊長10％。

8.根據權利要求2至7任何一項所述的光學近距修正的方法，其特征在于：所述光強閾值是光刻膠被顯影時所需要的光強劑量。

9.根據權利要求1所述的光學近距修正的方法，其特征在于：所述經驗值為1.3～1.7。