[發明專利]離子注入工藝的監測試片及監測方法

有效

• 申請號: 200710037671.5
• 申請日: 2007-02-13
• 公開（公告）號: CN101246809A
• 公開（公告）日: 2008-08-20
• 發明（設計）人: 朱津泉;戴樹剛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/66;H01L21/265;H01J37/317
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 李文紅

1.一種離子注入工藝的監測試片，所述試片具有襯底，所述襯底的雜質類型與待監測的離子注入工藝注入的雜質類型相反，所述待監測的離子注入工藝形成淺結離子注入層，其特征在于：所述襯底內還具有預摻雜層，且所述預摻雜層的雜質類型與所述待監測的離子注入工藝注入的雜質類型相同，所述預摻雜層的厚度大于所述待監測的離子注入工藝的注入深度，所述預摻雜層位于所述淺結離子注入層的下方以防止探針穿透所述淺結離子注入層與襯底接觸，所述預摻雜層的雜質離子濃度小于所述淺結離子注入層的雜質離子濃度。

2.如權利要求1所述的監測試片，其特征在于：所述預摻雜層的厚度不小于

3.如權利要求1所述的監測試片，其特征在于：所述待監測的離子注入工藝注入的雜質類型為n型時，預摻雜層的雜質為磷或砷。

4.如權利要求1所述的監測試片，其特征在于：所述待監測的離子注入工藝注入的雜質類型為p型時，預摻雜層的雜質為硼。

5.一種離子注入工藝的監測方法，包括：

提供與待監測的離子注入工藝注入的雜質類型相反的襯底；

在所述襯底內進行預摻雜處理形成預摻雜層，所述預摻雜層的厚度大于所述待監測的離子注入工藝的注入深度；

對已形成預摻雜層的所述襯底進行所述待監測的離子注入，形成淺結離子注入層，且所述預摻雜層的雜質類型與所述淺結離子注入層的雜質類型相同，且所述預摻雜層位于所述淺結離子注入層的下方以防止探針穿透所述淺結離子注入層與襯底接觸，且所述預摻雜層的雜質離子濃度小于所述淺結離子注入層的雜質離子濃度；

對已進行所述待監測的離子注入后的襯底進行熱退火處理；

利用四探針法檢測已進行所述熱退火處理后的襯底。

6.如權利要求5所述的監測方法，其特征在于：所述預摻雜處理時的離子注入能量大于所述待監測的離子注入時的注入能量。

7.如權利要求5所述的監測方法，其特征在于：所述預摻雜處理時的離子注入劑量小于所述待監測的離子注入時的注入劑量。

8.如權利要求5所述的監測方法，其特征在于：所述預摻雜處理時的離子注入的能量在5KeV至3000KeV之間。

9.如權利要求5所述的監測方法，其特征在于：形成的所述預摻雜層的厚度不小于

10.如權利要求5所述的監測方法，其特征在于：若所述待監測的離子注入工藝注入的雜質為n型，則所述預摻雜層的雜質為磷或砷；若所述待監測的離子注入工藝注入的雜質為p型，則所述預摻雜層的雜質為硼。