[發明專利]一種復合柵、柵源自隔離VDMOS、IGBT功率器件及其制造工藝無效
| 申請號： | 200710037558.7 | 申請日： | 2007-02-14 |
| 公開（公告）號： | CN101017849A | 公開（公告）日： | 2007-08-15 |
| 發明（設計）人： | 邵光平 | 申請（專利權）人： | 上海富華微電子有限公司;吉林華微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/739;H01L21/336;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海京滬專利代理事務所 | 代理人： | 沈美英 |
| 地址： | 200122上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 復合 源自 隔離 vdmos igbt 功率 器件 及其 制造 工藝 | ||
【說明書】：
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