[發明專利]親水性低截留分子量復合超濾膜制備方法

無效

• 申請號: 200710037396.7
• 申請日: 2007-02-09
• 公開（公告）號: CN101053779A
• 公開（公告）日: 2007-10-17
• 發明（設計）人: 施利毅;劉達;方建慧;曹志源;沈霞
• 申請（專利權）人: 上海大學
• 主分類號: B01D69/12
• 分類號: B01D69/12;B01D71/68;B01D71/82
• 代理公司: 上海上大專利事務所
• 代理人: 何文欣

1.一種親水性低截留分子量復合超濾膜的制備方法，其特征在于該方法具有如下步驟：

a.配制鑄膜液：以1-甲基-2-吡咯烷酮為溶劑，其中各組分及其質量百分比濃度為：聚砜或聚醚砜10％～22％、聚乙烯吡咯烷酮1％～10％、丙酮0％～1.5％；充分攪拌使各組分完全溶解，而后密封靜置24小時，以使鑄膜液完全脫泡；

b.將上述配制好的鑄膜液均勻平鋪在支撐材料聚酯無紡布上，至膜層厚度達到0.1mm～0.2mm，靜置10～40秒以蒸發其表面的部分溶質，而后迅速浸入凝結浴中成膜，即得到超濾膜基膜；所述的凝結浴為含有質量百分比濃度為0％～6％的NaCl的去離子水；制備過程中環境濕度控制在50％～70％；

c.將步驟b中制備的超濾膜基膜用去離子水清洗干凈之后，將其置于去離子水中浸泡5～10小時，中間每隔2小時換水一次；

d.將步驟c中的所得的超濾膜基膜浸入濃度為0.0～0.10mol/L的聚苯乙烯磺酸鈉溶液中10～30min，其中NaCl的濃度為0.0mol/L～2.5mol/L；使用純水洗滌并在其中浸泡10～30min，使超濾膜基膜表面形成帶負電的膜層；

e.將步驟d所得表面帶有負電層的超濾膜基膜浸入濃度為0.05～0.10mol/L的聚陽離子溶液中10～30min；使用純水洗滌并在其中浸泡10～30min；

f.將步驟a得到的超濾膜基膜浸入濃度為0.05～0.10mol/L的聚陰離子溶液中10～30min；使用純水洗滌并在其中浸泡10～30min；

g.重復步驟a和b，直至得到1-6層的聚電解質多層膜，在去離子水中浸泡2～10小時后，即得到所述的親水性低截留分子量復合超濾膜。

2.根據權利要求1所述的親水性低截留分子量復合超濾膜的制備方法，其特征在于，所述的聚砜或聚醚砜的粘度為0.50～0.60；所述的聚陽離子溶液為聚二丙烯基二甲基氯化銨或聚烯丙基氯化銨溶液，另外還加入NaCl，其濃度為0～2.5mol/L；所述的聚陰離子溶液為聚苯乙烯磺酸鈉或聚丙烯酸鈉溶液，另外還加入NaCl，其濃度為0～2.5mol/L。