[發(fā)明專利]一種硅光電池無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710037206.1 | 申請日: | 2007-02-06 |
| 公開(公告)號: | CN101241941A | 公開(公告)日: | 2008-08-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 鄧運明 | 申請(專利權(quán))人: | 上海華達運新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/042 | 分類號: | H01L31/042;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 上海科盛知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 趙志遠 |
| 地址: | 20033*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 光電池 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種太陽能聚光發(fā)電裝置,尤其涉及一種構(gòu)成太陽能聚光發(fā)電裝置的基本單元-硅光電池。
背景技術(shù)
太陽能發(fā)電廣泛應用于家庭和工農(nóng)業(yè)生產(chǎn),是一種真正的綠色能源。現(xiàn)在一般用光電池作為將光能轉(zhuǎn)化成電能的器件,例如目前用的較多的硅材料制成的硅光電池,也有用其他材料和新技術(shù)開發(fā)的新型光電池等。但是由于需求量很大,其價格高居不下,妨礙了太陽能發(fā)電的普及推廣。
影響太陽能發(fā)電推廣的因素是多方面的。對于家用系統(tǒng)而言,其衡量指標為投入發(fā)電系統(tǒng)的資金與獲得的電能之比。例如每千瓦時電能的價格,如果其價格高于一般發(fā)電廠的供電價格,就難以推廣。現(xiàn)在的光電轉(zhuǎn)換器件的轉(zhuǎn)化效率在10-30%左右,且價格較高;另外,一般的太陽能聚光透鏡難以做得很大,做大了成本就很高。以上因素,限制了太陽能發(fā)電裝置的推廣和應用。
硅光電池的光電轉(zhuǎn)化能力是影響太陽能聚光發(fā)電裝置發(fā)電能力的關(guān)鍵因素,而要提高硅光電池的光電轉(zhuǎn)化能力,關(guān)鍵是提高硅光電池的受光能力。現(xiàn)有技術(shù)的硅光電池中,負極柵線的線徑一般為0.15-0.20mm,柵線與柵線之間的間距在2mm以上。這種硅光電池的受光能力只能達到標準太陽光強(1000w/m2)的1-3倍,因而光電轉(zhuǎn)化能力不高,進而影響了整個太陽能聚光發(fā)電裝置發(fā)電能力的提高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的,在于解決現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題,提供一種光電轉(zhuǎn)化效率高的硅光電池。
本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的:一種硅光電池,包括硅基體、設置在硅基體正面的負極線和設置在硅基體背面的正極線,所述的負極線包括負極主柵線及與該負極主柵線相連的一組負極柵線,負極主柵線設置在硅基體的一端和兩側(cè),線寬0.5-2mm,一組負極柵線連接在兩側(cè)的負極主柵線之間,線寬為0.10±0.02mm,柵線與柵線之間的間距為1.0±0.2mm。
所述的正極線包括正極主柵線及與該正極主柵線相連的正極柵線,正極主柵線設置在硅基體的一端,線寬0.5-2mm。
所述的正極柵線為兩條,線寬0.5-1.0mm,兩條柵線分別設置在硅基體的兩側(cè)。
所述的正極柵線為兩條,線寬0.5-1.0mm,兩條柵線相間設置在硅基體的中間。
所述的正極線布滿整個硅基體的背面。
所述的負極柵線所占區(qū)域為一正方形,其面積小于20mm×20mm。
本發(fā)明的硅光電池的受光量達到標準太陽光強(1000w/m2)的10倍時,其發(fā)電量也可以同比增大10倍,是一種高效能的光電轉(zhuǎn)換電池,用它制作的太陽能聚光發(fā)電裝置,具有很大的發(fā)電能力。
附圖說明
圖1為本發(fā)明硅光電池的正面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本發(fā)明硅光電池反面結(jié)構(gòu)第一實施例的示意圖;
圖3為本發(fā)明硅光電池反面結(jié)構(gòu)第二實施例的示意圖;
圖4為本發(fā)明硅光電池反面結(jié)構(gòu)第三實施例的示意圖。
具體實施方式
參見圖1、配合參見圖2、圖3、圖4,本發(fā)明的硅光電池,規(guī)格為18mm×18mm。包括硅基體1、設置在硅基體1正面的負極線2和設置在硅基體背面的正極線3。
參見圖1,本發(fā)明中的負極線2包括負極主柵線21及與該負極主柵線相連的一組負極柵線22,負極主柵線21設置在硅基體的一端和兩側(cè),線寬0.5-2mm,一組負極柵線22連接在兩側(cè)的負極主柵線之間,線寬為0.10±0.02mm,柵線與柵線之間的間距為1.0±0.2mm。
參見圖2、圖3、圖4,本發(fā)明中的正極線3可有多種結(jié)構(gòu)形式,一種如圖2所示,正極線3包括正極主柵線31及與該正極主柵線相連的兩條正極柵線32,正極主柵線31設置在硅基體的一端,線寬0.5-2mm兩條柵線32分別設置在硅基體的兩側(cè),線寬0.5-1.0mm。第二種如圖3所示,正極線3包括正極主柵線31及與該正極主柵線相連的兩條正極柵線32,正極主柵線31設置在硅基體的一端,線寬0.5-2mm;兩條柵線32相間設置在硅基體的中間,線寬0.5-1.0mm。第三種如圖4所示,正極線3布滿整個硅基體的背面。
采用本發(fā)明的硅光電池可以組裝成大小為40cm×60cm左右的硅光電池組。可以接受10倍標準太陽光強(1000w/m2)的太陽光,同時其發(fā)電量也可以同比增大10倍。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





