[發明專利]一種可改善多晶硅柵極側面輪廓的柵極制作方法有效
| 申請號： | 200710037157.1 | 申請日： | 2007-02-06 |
| 公開（公告）號： | CN101241853A | 公開（公告）日： | 2008-08-13 |
| 發明（設計）人： | 吳俊雄;任連娟;賈宬;范生輝 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L21/3065;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 2012*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改善 多晶 柵極 側面 輪廓 制作方法 | ||
【權利要求書】：
1.?一種可改善多晶硅柵極側面輪廓的柵極制作方法，該方法首先在晶圓襯底上淀積一多晶硅層，然后對該多晶硅層進行光刻，之后使用含有氯氣的氣體對該多晶硅層進行干法刻蝕來形成多晶硅柵極，其特征在于，在該干法刻蝕過程中，該氯氣的流量范圍為5scmm到9sccm。
2.?如權利要求1所述的可改善多晶硅柵極側面輪廓的柵極制作方法，其特征在于，該干法刻蝕過程中還用到氧化氦氣體。
3.?如權利要求2所述的可改善多晶硅柵極側面輪廓的柵極制作方法，其特征在于，該氧化氦的流量為5sccm。
4.?如權利要求1所述的可改善多晶硅柵極側面輪廓的柵極制作方法，其特征在于，該干法刻蝕過程中還用到溴化氫氣體。
5.?如權利要求4所述的可改善多晶硅柵極側面輪廓的柵極制作方法，其特征在于，該溴化氫的流量為170sccm。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
