[發明專利]防止晶圓表面氧化層研磨厚度不均的方法無效
| 申請號： | 200710037155.2 | 申請日： | 2007-02-06 |
| 公開（公告）號： | CN101239449A | 公開（公告）日： | 2008-08-13 |
| 發明（設計）人： | 張春磊;張守龍;邵群;林保璋;邱柏誠 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | B24B29/00 | 分類號： | B24B29/00;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 2012*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 防止 表面 氧化 研磨 厚度 不均 方法 | ||
【權利要求書】：
1.?一種防止晶圓表面氧化層研磨厚度不均的方法，其特征在于：所述方法在兩片晶圓的研磨間隙，執行一研磨墊沖洗步驟，且沖洗時間大于10秒。
2.?如權利要求1所述的防止晶圓表面氧化層研磨厚度不均的方法，其特征在于：所述的沖洗時間介于10～30秒。
3.?如權利要求2所述的防止晶圓表面氧化層研磨厚度不均的方法，其特征在于：所述的沖洗時間介于10～20秒。
4.?如權利要求1所述的防止晶圓表面氧化層研磨厚度不均的方法，其特征在于：所述的研磨墊沖洗步驟采用高壓水柱沖洗。
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