[發(fā)明專利]一種低介電材料拋光液有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710036674.7 | 申請(qǐng)日： | 2007-01-19 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101225282A | 公開（公告）日： | 2008-07-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳國(guó)棟;宋偉紅;宋成兵;姚穎 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 安集微電子（上海）有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C09G1/02 | 分類號(hào)： | C09G1/02;C09G1/14;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海虹橋正瀚律師事務(wù)所 | 代理人： | 李佳銘 |
| 地址： | 201203上海市浦東新區(qū)張江高科*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 低介電 材料 拋光 | ||
1.一種低介電材料拋光液，其特征在于：磨料、含有羧基基團(tuán)的非氨基酸類的速率增助劑、非鐵型的氧化劑和除苯并三氮唑以外的緩蝕劑，pH值為7～13。
2.如權(quán)利要求1所述的拋光液，其特征在于：所述的磨料為摻鋁二氧化硅或二氧化硅。
3.如權(quán)利要求2所述的拋光液，其特征在于：所述的摻鋁二氧化硅或二氧化硅粒徑為5～200nm。
4.如權(quán)利要求3所述的拋光液，其特征在于：所述的粒徑為10～100nm。
5.如權(quán)利要求1所述的拋光液，其特征在于：所述的磨料的含量為質(zhì)量百分比2～20％。
6.如權(quán)利要求5所述的拋光液，其特征在于：所述的磨料的含量為質(zhì)量百分比5～15％。
7.如權(quán)利要求1所述的拋光液，其特征在于：所述的速率增助劑為有機(jī)酸或有機(jī)酸鹽。
8.如權(quán)利要求7所述的拋光液，其特征在于：所述的速率增助劑為酒石酸或酒石酸鉀。
9.如權(quán)利要求1所述的拋光液，其特征在于：所述的速率增助劑的含量為質(zhì)量百分比0.1～3％。
10.如權(quán)利要求9所述的拋光液，其特征在于：所述的速率增助劑的含量為質(zhì)量百分比0.1％～2％。
11.如權(quán)利要求1所述的拋光液，其特征在于：所述的緩蝕劑選自下列中的一個(gè)或多個(gè)：5-氨基四氮唑、5-甲基四氮唑和苯基巰基四氮唑。
12.如權(quán)利要求1所述的拋光液，其特征在于：所述的緩蝕劑的含量為質(zhì)量百分比0.005～3％。
13.如權(quán)利要求12所述的拋光液，其特征在于：所述的緩蝕劑的含量為質(zhì)量百分比0.05～1％。
14.如權(quán)利要求1所述的拋光液，其特征在于：所述的氧化劑的含量為質(zhì)量百分比1～3％。
15.如權(quán)利要求1所述的拋光液，其特征在于：所述的pH值為10～12。
16.如權(quán)利要求1所述的拋光液，其特征在于：所述的拋光液還含有表面活性劑。
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