[發(fā)明專利]掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測(cè)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710036530.1
• 申請(qǐng)日: 2007-01-17
• 公開（公告）號(hào): CN101226338A
• 公開（公告）日: 2008-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊金坡;車越;鄒超
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20;H01L21/027;H01L21/00
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司
• 代理人: 王潔

1.一種掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測(cè)方法，其特征在于包括下列步驟：選定作為標(biāo)準(zhǔn)的掃描曝光機(jī)，并調(diào)整所述的標(biāo)準(zhǔn)掃描曝光機(jī)的傳輸系統(tǒng)的精度；使用所述的標(biāo)準(zhǔn)掃描曝光機(jī)在晶片上定義出預(yù)定的標(biāo)記圖形，并經(jīng)刻蝕工藝加工后在晶片上形成立體標(biāo)記圖形；用待測(cè)掃描曝光機(jī)模擬加工所述的刻有標(biāo)記的晶片；根據(jù)所述的待測(cè)掃描曝光機(jī)輸出的加工結(jié)果報(bào)告中的偏差值與預(yù)定的偏差允許范圍判斷待測(cè)掃描曝光機(jī)的校準(zhǔn)度。

2.如權(quán)利要求1所述的掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測(cè)方法，其特征在于：所述的晶片應(yīng)為5片或5片以上。

3.如權(quán)利要求1或2所述的掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測(cè)方法，其特征在于：所述的加工結(jié)果報(bào)告中的偏差值包括X方向的偏差值、Y方向的偏差值以及角度偏差值。

4.如權(quán)利要求1或2所述的掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測(cè)方法，其特征在于：所述的加工結(jié)果報(bào)告中的偏差值應(yīng)為平均值。

5.如權(quán)利要求1或2所述的掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測(cè)方法，其特征在于：所述的標(biāo)記的形狀可以是矩形、圓形、三角形或橢圓形。

6.如權(quán)利要求1或2所述的掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測(cè)方法，其特征在于：所述的標(biāo)記的圖形的最大長度不應(yīng)超過半徑的三分之一。

7.如權(quán)利要求1或2所述的掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測(cè)方法，其特征在于：所述的標(biāo)記應(yīng)刻蝕在所述的晶片的三分之二半徑和圓周之間。

8.如權(quán)利要求1或2所述的掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測(cè)方法，其特征在于：所述的標(biāo)記應(yīng)為2個(gè)或2個(gè)以上。

9.如權(quán)利要求8所述的掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測(cè)方法，其特征在于：所述的標(biāo)記之間的距離之和應(yīng)為最大。

10.如權(quán)利要求8所述的掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測(cè)方法，其特征在于：所述的加工結(jié)果報(bào)告中的偏差值包括X方向的偏差值、Y方向的偏差值以及角度偏差值。

11.如權(quán)利要求8所述的掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測(cè)方法，其特征在于：所述的加工結(jié)果報(bào)告中的偏差值應(yīng)為平均值。

12.如權(quán)利要求8所述的掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測(cè)方法，其特征在于：所述的標(biāo)記的形狀可以是矩形、圓形、三角形或橢圓形。

13.如權(quán)利要求8所述的掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測(cè)方法，其特征在于：所述的標(biāo)記的圖形的最大長度不應(yīng)超過半徑的三分之一。

14.如權(quán)利要求8所述的掃描曝光機(jī)校準(zhǔn)度檢測(cè)方法，其特征在于：所述的標(biāo)記應(yīng)刻蝕在所述的晶片的三分之二半徑和圓周之間。