[發明專利]一種測量鐵電膜殘余應力的方法無效
| 申請號： | 200710035951.2 | 申請日： | 2007-10-23 |
| 公開（公告）號： | CN101206185A | 公開（公告）日： | 2008-06-25 |
| 發明（設計）人： | 鄭學軍;吳勤勇;吳波;周益春 | 申請（專利權）人： | 湘潭大學 |
| 主分類號： | G01N23/207 | 分類號： | G01N23/207 |
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| 地址： | 4111*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 測量 鐵電膜 殘余 應力 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種測量鐵電膜殘余應力的方法，包括下述步驟：
(a)用XRD測量鐵電膜膜/基界面處晶粒單胞晶格常數的變化，得到晶體坐標系中單胞的殘余應變；
(b)用XRD測量鐵電薄膜取向疇的相對衍射密度，利用坐標轉換將單胞的殘余應變從晶體坐標系轉到樣品坐標系，并作取向平均得到薄膜樣品的界面殘余應變；
(c)在鐵電膜膜/基界面電不導通的情況下，根據壓電本構關系計算出鐵電薄膜的界面殘余應力。
2.根據權利要求1所述的一種測量鐵電膜殘余應力的方法，其特征在于：從分析晶體坐標系下界面處晶粒單胞的晶格常數變化出發，考慮鐵電薄膜生長過程中，膜/基失配對殘余應變的貢獻，利用壓電本構關系測出界面殘余應力。
3.根據權利要求1所述的一種測量鐵電膜殘余應力的方法，其特征在于：通過分析入射光斑微區內晶粒取向情況，測量多晶鐵電薄膜各取向疇的相對衍射密度，利用晶體坐標系到樣品坐標系的轉換，并作取向平均得到薄膜樣品的殘余應變。
4.根據權利要求1所述的一種測量鐵電膜殘余應力的方法，其特征在于：X射線穿透深度為小于10μm，被測樣品膜厚小于5μm。
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