[發(fā)明專利]一種熔鹽電解法制備太陽級硅材料的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710034619.4 | 申請日： | 2007-03-26 |
| 公開（公告）號： | CN101070598A | 公開（公告）日： | 2007-11-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 賴延清;田忠良;張治安;李志友;劉芳洋;李劼;劉業(yè)翔 | 申請（專利權(quán)）人： | 中南大學(xué) |
| 主分類號： | C25B1/00 | 分類號： | C25B1/00;C25C3/00;C30B29/06;C01B33/021 |
| 代理公司： | 中南大學(xué)專利中心 | 代理人： | 龔燦凡 |
| 地址： | 410083*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 熔鹽電 解法 制備 太陽 材料 方法 | ||
1.一種太陽級多晶硅材料的制備方法，其特征在于：(1)以SiO2或其它含硅化合物A為原料，金屬M(fèi)1為陰極，高純石墨或其它碳材料為陽極，氟化物熔鹽為電解質(zhì)，在600℃～1400℃溫度下電解制備出含硅合金Si-M1；(2)以含硅合金Si-M1為陽極，高純金屬M(fèi)2為陰極，氟化物熔鹽為電解質(zhì)，在600℃～1400℃進(jìn)行三層液電解精煉，制備出含硅合金Si-M2；(3)以含硅合金Si-M2為原料，采用真空蒸餾技術(shù)，在真空度10-2Pa～10-6Pa狀態(tài)，溫度600℃～1800℃的條件下，蒸餾0.5～24小時，獲得太陽級多晶硅材料；
所述含硅化合物A為Li2SiF6，Na2SiF6，K2SiF6，Li2SiO3，Na2SiO3，K2SiO3，CaSiO3，MgSiO3，BaSiO3，Mg2SiO4或Be2SiO4中的至少一種；
所述金屬M(fèi)1為Ag，Bi，Cd，Ce，Cu，Co，Cr，F(xiàn)e，In，Mo，Ni，Pb，Sn或Zn中的至少一種；
所述金屬M(fèi)2為Al，Mg，Ca，Li，Na，K，Be，Sr，Ba，Sc，Cs或Rb中的至少一種；
所述氟化物熔鹽組成為：Me3AlF6-Me’2SiF6-Me”Fx，各組分質(zhì)量百分含量為：1～100％Me3AlF6、0～99％Me’2SiF6、0～40％Me”Fx；其中Me為Na、K或Li中的至少一種；Me’為Na、K或Li中的至少一種；Me”為Al、Mg、Ca、Ba、Na、K或Li中的至少一種。
2.一種太陽級多晶硅材料的制備方法，其特征在于：(1)以SiO2或其它含硅化合物A為原料，金屬M(fèi)1為陰極，高純石墨或其它碳材料為陽極，氟化物熔鹽為電解質(zhì)，在600℃～1400℃溫度下電解制備出含硅合金Si-M1；(2)以含硅合金Si-M1為陽極，高純石墨為陰極，氟化物熔鹽為電解質(zhì)，在高于硅熔點(diǎn)1414℃的溫度下進(jìn)行三層液電解精煉，制備出太陽級硅材料；
所述含硅化合物A為Li2SiF6，Na2SiF6，K2SiF6，Li2SiO3，Na2SiO3，K2SiO3，CaSiO3，MgSiO3，BaSiO3，Mg2SiO4或Be2SiO4中的至少一種；
所述金屬M(fèi)1為Ag，Bi，Cd，Ce，Cu，Co，Cr，F(xiàn)e，In，Mo，Ni，Pb，Sn或Zn中的至少一種；
所述氟化物熔鹽組成為：Me3AlF6-Me’2SiF6-Me”Fx，各組分質(zhì)量百分含量為：1～100％?Me3AlF6、0～99％Me’2SiF6、0～40％Me”Fx；其中Me為Na、K或Li中的至少一種；Me’為Na、K或Li中的至少一種；Me”為Al、Mg、Ca、Ba、Na、K或Li中的至少一種。
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