[發明專利]一種片式賤金屬電阻器的制造方法

有效

• 申請號: 200710032640.0
• 申請日: 2007-12-14
• 公開（公告）號: CN101206939A
• 公開（公告）日: 2008-06-25
• 發明（設計）人: 孟淑媛;安艷;江志堅;付衣梅
• 申請（專利權）人: 廣東風華高新科技股份有限公司
• 主分類號: H01C17/28
• 分類號: H01C17/28;H01C17/30;C09D1/00;C09D5/24;C09J1/00;C09J9/02;H01B1/22;H01C1/14;H01C7/00
• 代理公司: 廣州粵高專利代理有限公司
• 代理人: 羅曉林

技術領域

本發明涉及一種片式電阻器的制造方法，具體地講是指一種采用賤金屬制作電阻器的方法。

背景技術

隨著IT、3C(通訊，電子整機，計算機)等產業的技術提升及發展，對片式電阻器的需求量越來越大、要求也越來越趨向于小型化、高可靠性特點及低生產成本的方向發展。而一以來片式電阻器的電極材料主要是銀金屬，隨著銀價格的不斷上漲，片式電阻器生產成本提高很快，加上Ag離子遷移作用對電阻性能的影響，傳統銀電極的應用越來越受到限制。目前，市場和文獻上的信息均表明杜邦、TDK、昆貴所等公司均在積極開發用于片式電阻器的銅、鎳、鋅等賤金屬電極導電漿料，但由于無法解決賤金屬電極在低燒后與Al₂O₃基板的鍍后附著力低等技術瓶頸，均未能成功地賤金屬電極應用在片式電阻器上。

發明內容

本發明需解決的問題是賤多屬電阻器一經低溫燒結及電極鍍后附著力低下的問題，從而提供一種該電阻器的制造方法。

本發明所采用的技術方案是：一種片式賤金屬電阻器的制造方法，通過在Al₂O₃基板形成電阻體，附著在Al₂O₃基板正面和背面的面電極和背電極、附著電阻體上的玻璃層與包覆在Al₂O₃基板及面電極和背電極兩端的端電極的形成及激光調阻步驟制得，在制造過程中，

a.通過絲網印刷的方法粘接用漿料涂覆在Al₂O₃基板上設定的面、背電極位置處，然后在氮氣氛中，400～700L/min的流量、600～800℃的溫度下燒結，形成面電極粘接層、背電極粘接層；

b.通過絲網印刷的方法賤金屬導電漿料印制在面、背電極的粘接層上，印制在面電極粘接層處的賤金屬導電漿料并與電阻體形成保證電氣連接的搭接，然后在氮氣保護氣氛中，400～700L/min的流量、600～800℃的溫度下燒結，形成賤金屬面電極層與背賤金屬電極層；

在上述生產方法中，絲網印刷是常規電阻器的生產方法。進一步：在上述方法中，粘接層漿料的組成是：玻璃粉50～70wt％，無機顏料0.3～8.0wt％，高分子樹脂0.5～6wt％，溶劑10～48wt％；所述的玻璃粉的組成是(I)SiO₂-B₂O₃-PbO-TiO₂體系玻璃粉，該體系中各組份的重量百分比為：SiO₂5-30wt％，B₂O35～28wt％，PbO₂0～70wt％，TiO₂5～15wt％，Al₂O₃0～5wt％，ZnO0～10wt％，CuO0～10wt％，AgO0～5％；玻璃粉的組成還可以是(II)B₂O₃-SiO₂-Al₂O₃-ZnO-CuO玻璃粉體系，該體系中各組份的重量百分此為：B₂O₃5～30wt％，SiO₂11～30wt％，Bi₂O₃0～10wt％，Al₂O₃3～10wt％，CuO5～20wt％，ZnO5-20wt％，ZrO0～15wt％，BaO0～5wt％，CaO0～5wt％SrO0～10wt％，Nb₂O₅0～5wt％，TiO₂0～8wt％；所述的無機顏料是指Cr₂O₃、CuO、Cr₂O₃或Co中的一種或幾種的組合，所述的高分子樹脂是乙基纖維素、氫化松香樹脂、聚乙烯、聚氨酯中的一種或幾種的組合，所述的有機溶劑是指乙醇、異辛醇、松油醇、四甲苯溶劑中的一種或幾種的組合；粘接層優選的配方方案如表1及相關優選玻璃粉配方表如4與表5所示。

再進一步：賤金屬電極漿料按重量百分比的組成為：賤金屬材料60～75wt％；高分子樹脂0.5～5wt％；溶劑5～35wt％；玻璃粉7～17wt％，其中玻璃粉的組成為：