[發(fā)明專利]多媒體應用處理器兼容各種Nandflash的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710032396.8 | 申請日: | 2007-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN101458656A | 公開(公告)日: | 2009-06-17 |
| 發(fā)明(設計)人: | 易若翔;范敬才;胡勝發(fā) | 申請(專利權)人: | 安凱(廣州)軟件技術有限公司 |
| 主分類號: | G06F12/02 | 分類號: | G06F12/02 |
| 代理公司: | 廣州知友專利商標代理有限公司 | 代理人: | 宣國華 |
| 地址: | 510663廣東省廣州市天河*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多媒體 應用 處理器 兼容 各種 nandflash 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種利用多媒體應用處理器兼容多種Nandflash存儲器件(包括 單片或者多片的不同廠商、不同型號的nandflash),進行數(shù)據(jù)存儲和讀取的方法。
背景技術
近年來,可攜式電子產(chǎn)品飛速發(fā)展,對于內(nèi)存提出了新的需求,例如:體 積小、容量大、功率小、非揮發(fā)性和耐震等特性。因此,傳統(tǒng)式的硬盤與內(nèi)存已 不適用于新的可攜式系統(tǒng)。而閃存和一般DRAM或SRAM最大不同處,在于當 無電源時閃存能保存資料完整性,是屬于非揮發(fā)性內(nèi)存。并且閃存具備省電功能 及耐震,在移動式裝置運用中是最佳儲存媒介,因此閃存成為嵌入式計算系統(tǒng)最 佳內(nèi)存解決方案。
在閃存當中,與非門閃存(NAND?Type?Flash,簡稱Nandflash),具有體積 小、容量大、存儲密度高等特性,逐漸取代Norflash成為閃存的主流。
典型的移動多媒體手持設備的硬件結構框圖見圖2,包括程序存儲器1、顯 示器2、手機通信模塊3、可硬件實時處理音視頻數(shù)據(jù)流并有豐富外圍接口的多 媒體應用處理器4、供電電源5、鍵盤或觸摸屏6、Nandflash存儲介質(zhì)7、耳機 8、揚聲器9和麥克風10,其中多媒體應用處理器4是整個手持設備的核心,其 與存儲介質(zhì)7的接口是標準的八位并行Nandflash接口,多媒體應用處理器4和 Nandflash存儲介質(zhì)7構成了存儲系統(tǒng)的硬件架構。
當上層應用要操作Nandflash存儲器件7時,由驅(qū)動控制多媒體應用處理器 4,輸出合理的時序控制某片Nandflash,從而實現(xiàn)文件的讀寫,使MTD層和FS (文件系統(tǒng))層能對Nandflash上的文件進行讀寫操作,從而實現(xiàn)播放音樂、拷 貝文件等上層應用。此部分存儲系統(tǒng)的軟件架構見圖1。
Nandflash技術發(fā)展迅猛,不同廠商、不同型號的Nandflash存在著單片選 及多片選、單die及多die、不同AC時序、不同命令、不同讀寫順序和次數(shù)要求、 SLC到MLC的工藝發(fā)展等等物理特性上的差異。這些都對后端應用(控制芯片、 驅(qū)動、MTD管理和FS)提出了較高的要求。現(xiàn)在較為簡單的做法是根據(jù)Nandflash 物理特性的不同,使用一套專門的驅(qū)動來對其進行讀、寫、擦等操作。在Nandflash 種類較少的時候,這種做法比較簡單明了。但當嵌入式系統(tǒng)要支持越來越多的結 構復雜、時序千差萬別的Nandflash時,原來的模式就顯得力不從心了。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種多媒體應用處理器兼容各種Nandflash的方法: 通過多媒體應用處理器,配合相應的驅(qū)動,對不同廠商、不同型號的Nandflash 進行控制,使MTD層和FS(文件系統(tǒng))層能對Nandflash上的文件進行讀寫操 作,從而實現(xiàn)播放音樂、拷貝文件等上層應用。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明一種多媒體應用處理器兼容各種Nandflash的方法 包括以下處理步驟:
l、將各片Nandflash接到多媒體應用處理器的相應片選上,并將各片 Nandflash的開漏輸出R/b(準備/忙碌指示管腳)短接后接到多媒體應用處理器 的R/b(準備/忙碌指示管腳);
2、根據(jù)不同廠商、不同型號的Nandflash的物理特性,把各自共同的物理 特性抽象出來組成特定的數(shù)據(jù)結構表,成為單一的結構體;
3、根據(jù)每片Nandflash的AC(交流)時序參數(shù)物理特性配置多媒體應用處 理器的相應寄存器,使其能相應地輸出對應的讀寫時序訪問控制該Nandflash;
4、系統(tǒng)的MTD層根據(jù)結構體和指針即可方便地訪問各片Nandflash。
本發(fā)明中步驟2中抽象出來特定的數(shù)據(jù)結構,包括:
1)、Nandflash標識符(ID);2)、頁(Page)大小;3)、塊(Block)大小; 4)平面(Plane)內(nèi)的Block數(shù);5)、特征參數(shù):Plane的劃分、是否支持頁直接 對拷(copyback)和Block內(nèi)是否需要順序?qū)慞age;6)AC時序參數(shù);
本發(fā)明中步驟4中具體過程為:
A、循環(huán)檢查各個片選上所放的Nandflash的位置;
B、讀取單片Nandflash的ID,從數(shù)據(jù)結構表獲取該片的物理特性;
C、從步驟B所獲得的結構體,結合步驟A所獲得的片選情況,將這些提取 出的結構體和指針相關信息傳給MTD層。
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