[發明專利]半導體光電探測器芯片結構

無效

• 申請號: 200710031793.3
• 申請日: 2007-11-30
• 公開（公告）號: CN101183691A
• 公開（公告）日: 2008-05-21
• 發明（設計）人: 王鋼;陳詩育
• 申請（專利權）人: 中山大學
• 主分類號: H01L31/102
• 分類號: H01L31/102;H01L31/107;H01L31/105
• 代理公司: 廣州粵高專利代理有限公司
• 代理人: 禹小明

1.一種半導體光電探測器芯片結構，包括襯底、層疊于襯底上的吸收層及層疊于襯底下的N型電極，部分的吸收層上形成有P型重摻雜層，P型重摻雜層上設置有P型電極，且P型重摻雜層上還形成有一入射光窗口，其特征在于：P型重摻雜層的四周填充有絕緣材料層，且P型電極延伸至絕緣材料層的表面，并覆蓋在絕緣材料層的表面上。

2.如權利要求1所述的半導體光電探測器芯片結構，其特征在于：P型重摻雜層與部分的吸收層之間還形成有一倍增層。

3.如權利要求1所述的半導體光電探測器芯片結構，其特征在于：絕緣材料層與吸收層之間還形成有一本征層。

4.如權利要求1所述的半導體光電探測器芯片結構，其特征在于：襯底與吸收層之間形成有布拉格反射層。

5.如權利要求4所述的半導體光電探測器芯片結構，其特征在于：布拉格反射層的光學厚度為λ/4，λ為入射光的波長。

6.如權利要求1所述的半導體光電探測器芯片結構，其特征在于：入射光窗口上還形成有一層抗反射的金屬膜。

7.如權利要求1所述的半導體光電探測器芯片結構，其特征在于：襯底為磷化銦或砷化鎵中的一種材料，吸收層為砷化鎵銦、摻氮的砷化鎵銦或氮化鎵中的任何一種材料，P型重摻雜層為磷化銦或砷化鎵中的一種材料，絕緣材料層為聚酰亞胺、聚醚醚酮或聚苯硫醚中的任何一種材料。

8.如權利要求2所述的半導體光電探測器芯片結構，其特征在于：倍增層為磷化銦、砷化鋁銦、砷化鎵鋁或氮化鎵中的任意一種材料。

9.一種半導體光電探測器芯片結構，包括襯底、層疊于襯底上的吸收層及層疊于襯底下的N型電極，部分的吸收層上形成有P型重摻雜層，P型重摻雜層上設置有P型電極，且N型電極及襯底刻蝕形成有一入射光窗口，其特征在于：P型重摻雜層的四周填充有絕緣材料層，P型重摻雜層上覆蓋有P型電極。