[發明專利]氫氣傳感器用薄膜材料及其制備方法

無效

• 申請號: 200710031243.1
• 申請日: 2007-11-02
• 公開（公告）號: CN101158662A
• 公開（公告）日: 2008-04-09
• 發明（設計）人: 歐陽柳章;秦發祥;朱敏
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: G01N27/30
• 分類號: G01N27/30;G01N27/12
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司
• 代理人: 李衛東

1.氫氣傳感器用薄膜材料，其特征在于：所述薄膜材料包括基片、合金薄膜材料和保護薄膜；基片和保護薄膜夾覆著合金薄膜材料；合金薄膜材料的基本成分為Mg和Ni，化學組成為Mg_[p-x]α_[x]Ni_[1-y]β_[y]，其中α為Al、Mn、Sn、Ca、Li、B、La、Ce、Nd、Pr、Y或者混合稀土，其中β為Cu、Ti、Co、Fe、Cr、Zr、V、Nb、Mo或者W，其中2≤p≤70，0≤x≤35，0≤y≤0.8。

2.根據權利要求1所述的氫氣傳感器用薄膜材料，其特征在于：所述基片為金屬、半導體或者絕緣體基片。

3.根據權利要求1所述的氫氣傳感器用薄膜材料，其特征在于：所述保護薄膜為Pd、Pt或Au薄膜，或者Pd、Pt、Ag、Au、Co的二元或多元合金薄膜。

4.根據權利要求1所述的氫氣傳感器用薄膜材料，其特征在于：所述合金薄膜材料厚度為10～2000nm。

5.根據權利要求1所述的氫氣傳感器用薄膜材料，其特征在于：所述保護薄膜厚度為2～1000nm。

6.權利要求1所述的氫氣傳感器用薄膜材料的制備方法，其特征在于：首先用感應熔煉或粉末冶金方法預制合金靶，然后用物理氣相沉積方法，在基片上制成合金薄膜材料，接著在合金薄膜材料表面覆蓋一層保護薄膜。

7.根據權利要求6所述的氫氣傳感器用薄膜材料的制備方法，其特征在于：所述物理氣相沉積方法為濺射、電子束蒸鍍或者激光蒸鍍方法。

8.根據權利要求6所述的氫氣傳感器用薄膜材料的制備方法，其特征在于：所述合金靶的基本成分為Mg和Ni，化學組成為Mg_[p-x]α_[x]Ni_[1-y]β_[y]，其中α為Al、Mn、Sn、Ca、Li、B、La、Ce、Nd、Pr、Y或者混合稀土，其中β為Cu、Ti、Co、Fe、Cr、Zr、V、Nb、Mo或者W，其中2≤p≤70，0≤x≤35，0≤y≤0.8。

9.根據權利要求8所述的氫氣傳感器用薄膜材料的制備方法，其特征在于：所述合金靶為兩種或者兩種以上所述化學組成的混合物。

10.根據權利要求6所述的氫氣傳感器用薄膜材料的制備方法，其特征在于：用感應熔煉方法將塊狀金屬熔煉成合金鑄件，高溫退火后，用線切割方法把合金鑄件加工成合金靶；或者用粉末冶金方法將金屬粉末燒結，高溫退火后，用線切割方法加工成合金靶。