[發明專利]一種高光效發光二極管晶片

無效

• 申請號: 200710030795.0
• 申請日: 2007-10-08
• 公開（公告）號: CN101409314A
• 公開（公告）日: 2009-04-15
• 發明（設計）人: 楊文明
• 申請（專利權）人: 楊文明
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1、一種高光效發光二極管晶片，包括一透明襯底層(6)，設置于透明襯底層(6)上的一粘膠層(5)，粘膠層(5)上設有第一傳導層(1)，一有源層(9)設于第一傳導層(1)和第二傳導層(2)之間，第一電極(7)、第二電極(8)分別設于第一傳導層(1)和第二傳導層(2)上，所述透明襯底層(6)有上表面和底面，在其底面設有一金屬反射層(11)，其特征在于：在粘膠層(5)與第一傳導層(1)之間設有一布拉格反射層(3)。

2、根據權利要求1所述的一種高光效發光二極管晶片，其特征在于：所述透明襯底層(6)的底面面積大于有源層(9)的面積。

3、根據權利要求2所述的一種高光效發光二極管晶片，其特征在于：所述透明襯底層(6)的上表面面積大于有源層(9)的面積。

4、根據權利要求2、3所述的一種高光效發光二極管晶片，其特征在于：所述透明襯底層(6)的底面面積大于其上表面面積。

5、根據權利要求4所述的一種高光效發光二極管晶片，其特征在于：所述有源層(9)位于透明襯底層(6)的上表面居中位置。

6、根據權利要求3、4中任一所述的一種高光效發光二極管晶片，其特征在于：所述第一傳導層(1)由氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化鋅和氧化鋅錫中至少一種化合物組成。

7、根據權利要求3、4中任一所述的一種高光效發光二極管晶片，其特征在于：所述第二傳導層(2)由氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化鋅和氧化鋅錫中至少一種化合物組成。

8、根據權利要求3、4中任一所述的一種高光效發光二極管晶片，其特征在于：所述有源層(9)由磷化鎵、砷化鎵、氧化鋅和氧化鋅錫中至少一種化合物組成。

9、根據權利要求3、4中任一所述的一種高光效發光二極管晶片，其特征在于：所述透明襯底層(6)由硅、碳化硅、三氧化二鋁和氧化鋅中任一一種組成。