[發明專利]一種制備一維硅納米結構的方法無效
| 申請號： | 200710030216.2 | 申請日： | 2007-09-18 |
| 公開（公告）號： | CN101117208A | 公開（公告）日： | 2008-02-06 |
| 發明（設計）人： | 許寧生;佘峻聰;何浩;姚日暉;鄧少芝;陳軍 | 申請（專利權）人： | 中山大學 |
| 主分類號： | B82B3/00 | 分類號： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 廣州新諾專利商標事務所有限公司 | 代理人： | 華輝 |
| 地址： | 510275廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制備 一維硅 納米 結構 方法 | ||
1.一種制備一維硅納米結構的方法，其特征在于工藝步驟順序如下：
(A)在基底材料表面制備出納米顆粒掩模；
(B)用等離子體刻蝕技術對基底材料進行刻蝕。
2.根據權利要求1所述的一種制備一維硅納米結構的方法，其特征在于：所述步驟A包括以下步驟：
(i)首先在基底材料表面旋涂一層光刻膠，接著采用電子光刻技術在基底材料表面形成微孔；
(ii)在基底材料表面沉積一層掩模薄膜；
(iii)對沉積了掩模薄膜的基底材料進行光刻膠剝離工藝，從而在步驟i的微孔處形成納米顆粒掩模。
3.根據權利要求1所述的一種制備一維硅納米結構的方法，其特征在于：在步驟A中，首先在基底材料表面沉積一層金屬薄膜；然后對金屬薄膜進行熱處理，在基底材料表面得到金屬納米顆粒掩模。
4.根據權利要求2或3所述的一種制備一維硅納米結構的方法，其特征在于：步驟A中所述的基底材料為單晶硅，或沉積在襯底上的單晶硅薄膜。
5.根據權利要求2或3所述的一種制備一維硅納米結構的方法，其特征在于：步驟A中所述的基底材料為非晶硅，或沉積在襯底上的非晶硅薄膜。
6.根據權利要求2所述的一種制備一維硅納米結構的方法，其特征在于：步驟ii所述的掩模材料為金屬，或金屬氧化物，或二氧化硅。
7.根據權利要求2或3所述的一種制備一維硅納米結構的方法，其特征在于：步驟B采用各向同性刻蝕工藝，工藝參數為：工藝氣體C4F8(50sccm)和SF6(25sccm)，氣壓10mTorr，RF功率40W，ICP功率750W。
8.根據權利要求2或3所述的一種制備一維硅納米結構的方法，其特征在于：步驟B采用各向異性刻蝕工藝，工藝參數為：工藝氣體C4F8(65sccm)和SF6(15sccm)，氣壓8mTorr，RF功率38W，ICP功率800W。
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