[發(fā)明專利]一種便于制造的壓敏電阻器及其制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710029518.8 | 申請(qǐng)日: | 2007-07-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101105992A | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-01-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王學(xué)釗;尹峰;周水明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣州新萊福磁電有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01C7/10 | 分類號(hào): | H01C7/10;H01C17/00 |
| 代理公司: | 廣州市華學(xué)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 楊曉松 |
| 地址: | 510640廣東*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 便于 制造 壓敏電阻 及其 制備 方法 | ||
1.一種便于制造的壓敏電阻器,包括環(huán)形電阻基體、金屬電極,其特征在于:所述環(huán)形電阻基體的端面或/和側(cè)面設(shè)置有凹槽,所述金屬電極設(shè)置于凹槽之間的環(huán)形電阻基體的端面或/和側(cè)面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的便于制造的壓敏電阻器,其特征在于:所述環(huán)形電阻基體的外側(cè)面沿軸向設(shè)置有凹槽,所述金屬電極設(shè)置于凹槽之間的環(huán)形電阻基體的外側(cè)表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的便于制造的壓敏電阻器,其特征在于:所述環(huán)形電阻基體上凹槽的數(shù)量為3個(gè)或者3個(gè)以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的便于制造的壓敏電阻器,其特征在于:所述環(huán)形電阻基體上凹槽沿周向?qū)ΨQ或非對(duì)稱設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的便于制造的壓敏電阻器,其特征在于:所述凹槽的截面形狀是圓弧形、梯形、方形、三角形或者不規(guī)則形狀。
6.一種壓敏電阻器的制備方法,其特征在于包括下述步驟:
(1)加工環(huán)形電阻基體;
(2)在環(huán)形電阻基體的端面或/和側(cè)面加工出凹槽;
(3)在相鄰凹槽之間的環(huán)形電阻基體的端面或/和側(cè)面覆蓋金屬電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的壓敏電阻器的制備方法,其特征在于:步驟(1)、(2)同時(shí)操作完成,在形成環(huán)形電阻基體的同時(shí)在環(huán)形電阻基體的端面或/和側(cè)面加工出凹槽。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的壓敏電阻器的制備方法,其特征在于:步驟(1)、(2)采用于粉壓制成型、擠膜沖壓成型或者是注射成型工藝。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的壓敏電阻器的制備方法,其特征在于:步驟(3)中,所述覆蓋金屬電極的操作方式采用絲網(wǎng)印刷、涂覆、化學(xué)鍍、電鍍或?yàn)R射工藝中的一種或多種。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的壓敏電阻器的制備方法,其特征在于:步驟(3)中,所述覆蓋金屬電極的操作重復(fù)多次,形成所需厚度的金屬電極。
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