[發明專利]直接倒裝于支架內的發光二極管的制造方法無效
| 申請號: | 200710029220.7 | 申請日: | 2007-07-18 |
| 公開(公告)號: | CN101350321A | 公開(公告)日: | 2009-01-21 |
| 發明(設計)人: | 陳海英;羅珮璁;肖國偉;陳正豪 | 申請(專利權)人: | 晶科電子(廣州)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L33/00 |
| 代理公司: | 廣州凱東知識產權代理有限公司 | 代理人: | 宋冬濤 |
| 地址: | 511458廣東省廣州*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 直接 倒裝 支架 發光二極管 制造 方法 | ||
1、一種直接倒裝于支架內的發光二極管的制造方法,其特征在于:在支架內,最少一個發光二極管芯片是通過金屬凸點直接倒裝于支架上。
2、如權利要求1所述的直接倒裝于支架內的發光二極管的制造方法,其特征在于:所述的金屬凸點是制造在發光二極管芯片的P、N電極上,然后發光二極管芯片的P、N電極直接與支架內對應于P、N電極的金屬焊盤倒裝連接;或者金屬凸點是制造在支架上,然后光二極管芯片的P、N電極的金屬焊盤直接與金屬凸點倒裝連接。
3、如權利要求2所述的直接倒裝于支架內的發光二極管的制造方法,其特征在于:所述的金屬凸點通過電鍍工藝或者機械栽植的方式形成,金屬凸點的材料為鉛、錫、金中單一的材料或者共晶合金;P、N電極的金屬焊盤的材料為鎳、金、銀、鋁中單一的材料、多層材料或者合金,焊盤的厚度為0.5~10微米。
4、如權利要求2所述的直接倒裝于支架內的發光二極管的制造方法,其特征在于:所述的金屬凸點同金屬焊盤的鍵合過程是用回流焊的方式或是加熱后加超聲波的邦定工藝。
5、如權利要求1所述的直接倒裝于支架內的發光二極管的制造方法,其特征在于:所述的支架包括表面粘著型、直插式支架、側面出光的支架、正面出光的支架、單芯片支架、多芯片支架;支架的材料是樹脂、金屬或者陶瓷。
6、如權利要求1所述的直接倒裝于支架內的發光二極管的制造方法,其特征在于:所述的發光二極管芯片是單一一個芯片。
7、如權利要求1所述的直接倒裝于支架內的發光二極管的制造方法,其特征在于:所述的發光二極管芯片是兩個或者兩個以上。
8、如權利要求7所述的直接倒裝于支架內的發光二極管的制造方法,其特征在于:所述的發光二極管芯片是不同尺寸、不同顏色芯片的組合。
9、如權利要求7所述的直接倒裝于支架內的發光二極管的制造方法,其特征在于:所述的發光二極管芯片是紅、綠、藍(RGB)全彩顯示用的多芯片組合、雙色芯片模組或者單色的芯片模組。
10、如權利要求9或8所述的直接倒裝于支架內的發光二極管的制造方法,其特征在于:所述的紅色芯片是通過金線鍵合的形式連接,而藍光、綠光芯片是通過倒裝不打線的形式組裝于支架內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





