[發(fā)明專利]含硅芴共軛聚合物及其制備方法和應(yīng)用

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710028956.2
• 申請(qǐng)日: 2007-07-02
• 公開（公告）號(hào): CN101148495A
• 公開（公告）日: 2008-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹鏞;王二剛;王藜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華南理工大學(xué)
• 主分類號(hào): C08G61/12
• 分類號(hào): C08G61/12;H01L31/0216
• 代理公司: 廣州粵高專利代理有限公司
• 代理人: 何淑珍

1.一種含硅芴共軛聚合物，其特征在于具有以下結(jié)構(gòu)；

其中

R₁、R₂為相同或不同的C₁-C₂₀的烷基、烷氧基、烷氧苯基或苯基；R₃、R₄為相同或不同的H，C₁-C₂₀的烷基、烷氧基、烷氧苯基、苯基；

Ar是指含有硫和/或氮雜原子的雜環(huán)化合物；曲線部分表示硅芴單元與Ar的連接方式為單鍵，雙鍵，三鍵或非共軛單元。

X∶Y＝25-65∶35-75摩爾；

n＝1，2，3，……

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含硅芴共軛聚合物，其特征在于含有硫和/或氮雜原子的雜環(huán)化合物是苯并噻二唑、萘并噻二唑、噻吩、連噻吩中的一種或一種以上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的含硅芴共軛聚合物，其特征在于含有硫和/或氮雜原子的雜環(huán)化合物具有以下一種或一種以上結(jié)構(gòu)式：

其中R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆為相同或不同的H、C₁-C₂₀的烷基、烷氧基、烷氧苯基；

其中R₁，R₂為相同或不同的H、C₁-C₂₀的烷基、烷氧基、烷氧苯基；R₃為H或CN。

4.權(quán)利要求1-3之一所述含硅芴共軛聚合物的制備方法，其特征在于如下將2，7-硅芴單體與含氮和/或硫雜原子的窄帶隙單體進(jìn)行共聚，將其吸收帶邊推向紅光及近紅外區(qū)。

5.權(quán)利要求1-3之一所述的共聚物，其特征在于吸收光譜的吸收邊大于500納米。

6.權(quán)利要求1-3之一所述含硅芴共軛聚合物在制備聚合物太陽能電池中的應(yīng)用。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的應(yīng)用，其特征在于應(yīng)用于聚合物異質(zhì)結(jié)太陽電池的給體相，其與電子受體材料C₆₀或其衍生物、有機(jī)電子受體材料或無機(jī)納米晶混合制成溶液，涂覆在ITO玻璃或緩沖層上，制備成薄膜，然后在其上蒸鍍金屬制備成器件。

8.權(quán)利要求1-3之一所述含硅芴共軛聚合物在制備聚合物場(chǎng)效應(yīng)管中的應(yīng)用，其特征在于應(yīng)用于有機(jī)薄膜晶體管的半導(dǎo)體活性層。