[發(fā)明專(zhuān)利]內(nèi)存數(shù)據(jù)存取裝置及使用其之電子裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710028940.1
• 申請(qǐng)日: 2007-07-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101339510A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林升平
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 佛山市順德區(qū)順達(dá)電腦廠有限公司;神達(dá)電腦股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G06F9/445
• 分類(lèi)號(hào): G06F9/445
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種數(shù)據(jù)存取裝置，且特別是有關(guān)于一種用于反及閃存的數(shù)據(jù)存取裝置。

背景技術(shù)

目前的閃存主要分為兩種，分別為反或閃存(以下簡(jiǎn)稱(chēng)NOR?Flash)與反及閃存(以下簡(jiǎn)稱(chēng)NAND?Flash)，并具有不同的電路結(jié)構(gòu)。就讀取接口而言，NOR?Flash具有一數(shù)據(jù)總線與一地址總線，每個(gè)字節(jié)都可以直接存取，并且具有較快的存取速度。相較于NOR?Flash，NAND?Flash是以多任務(wù)的I/O接口來(lái)分別處理地址與數(shù)據(jù)，并且控制端必須通過(guò)指令來(lái)存取NAND?Flash內(nèi)的數(shù)據(jù)，同時(shí)，NANDFlash內(nèi)的數(shù)據(jù)以區(qū)塊為單位來(lái)存取，而每個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)無(wú)法直接地被存取。

由于上述NAND?Flash的存取接口，使得目前NAND?Flash無(wú)法于開(kāi)機(jī)程序當(dāng)中。因此，目前許多電子裝置(例如手機(jī)、PDA等等)都將開(kāi)機(jī)程序所需使用的開(kāi)機(jī)程序以及系統(tǒng)程序或應(yīng)用程序儲(chǔ)存于NOR?Flash。但是，在相同的芯片體積下，NAND?Flash的儲(chǔ)存容量明顯地大于NOR?Flash，并且生產(chǎn)的成本也小于NORFlash。因此，目前NAND?Flash只能用來(lái)儲(chǔ)存容量較大的語(yǔ)音數(shù)據(jù)或圖片數(shù)據(jù)，以減少電子裝置所需的體積。

但是，隨著電子裝置的發(fā)展，其內(nèi)部程序所需的內(nèi)存容量也相對(duì)的增高，而NOR?Flash在電子裝置內(nèi)所占用的體積也越來(lái)越龐大，使得電子裝置的體積也隨之變大，因而造成電子裝置無(wú)法符合在市場(chǎng)上輕薄短小的要求。并且，若電子裝置裝同時(shí)存在有NAND?Flash與NOR?Flash，雖然可以降低電子裝置的體積，但是卻也讓電子裝置內(nèi)需要兩個(gè)存取的接口，來(lái)分別存取NAND?Flash與NORFlash內(nèi)的數(shù)據(jù)，使得電子裝置內(nèi)的電路更加復(fù)雜，并增加電路的成本。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種內(nèi)存數(shù)據(jù)存取裝置，讓NAND?Flash能夠在開(kāi)機(jī)程序中所使用，因而可以讓電子裝置只需要一個(gè)NAND?Flash就可儲(chǔ)存所有的數(shù)據(jù)，以減少電路的成本。

本發(fā)明提供一種電子裝置，能夠?qū)⑺械臄?shù)據(jù)儲(chǔ)存于NAND?Flash，以減少電子裝置的體積，并降低電路的成本。

本發(fā)明提出一種內(nèi)存數(shù)據(jù)存取裝置，用于存取一NAND?Flash，其中NANDFlash儲(chǔ)存有一高階開(kāi)機(jī)程序。而內(nèi)存數(shù)據(jù)存取裝置包括存取控制器與開(kāi)機(jī)模塊。其中，存取控制器耦接至NAND?Flash，用以提供一存取NAND?Flash的接口。而開(kāi)機(jī)模塊儲(chǔ)存有一低階開(kāi)機(jī)程序。其中，在一開(kāi)機(jī)程序中，開(kāi)機(jī)模塊根據(jù)低階開(kāi)機(jī)程序，對(duì)一電子裝置的一處理單元作初使化，并通過(guò)存取控制器讀取出NAND?Flash內(nèi)的一高階開(kāi)機(jī)程序以啟動(dòng)電子裝置。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，包括一譯碼器。此譯碼器耦接于存取控制器與開(kāi)機(jī)模塊，用以將高階開(kāi)機(jī)程序轉(zhuǎn)換為處理單元可接收的數(shù)據(jù)，并輸出至處理單元。在實(shí)施例中，處理單元包括內(nèi)存以及中央處理器。內(nèi)存用以?xún)?chǔ)存由內(nèi)存數(shù)據(jù)存取裝置所讀取出的高階開(kāi)機(jī)程序。中央處理器用以執(zhí)行低階開(kāi)機(jī)程序與高階開(kāi)機(jī)程序。較佳實(shí)施例中，內(nèi)存包括一隨機(jī)存取內(nèi)存。高階開(kāi)機(jī)程序由C語(yǔ)言所寫(xiě)成。低階開(kāi)機(jī)程序由匯編語(yǔ)言所寫(xiě)成。

本發(fā)明還提出一種電子裝置，包括處理單元、NAND?Flash、存取控制器以及開(kāi)機(jī)模塊。其中，NAND?Flash儲(chǔ)存有高階開(kāi)機(jī)程序。而存取控制器耦接至NANDFlash，用以提供存取NAND?Flash的接口。而開(kāi)機(jī)模塊儲(chǔ)存有低階開(kāi)機(jī)程序。其中在開(kāi)機(jī)程序中，開(kāi)機(jī)模塊根據(jù)低階開(kāi)機(jī)程序，對(duì)處理單元作初始化，并通過(guò)存取控制器讀取出NAND?Flash內(nèi)的一高階開(kāi)機(jī)程序以啟動(dòng)電子裝置。

本發(fā)明通過(guò)在電子裝置啟動(dòng)時(shí)，先于內(nèi)存數(shù)據(jù)存取裝置執(zhí)行較低階開(kāi)機(jī)程序，因而讓NAND?Flash能夠在開(kāi)機(jī)程序中所使用，使得電子裝置內(nèi)只需一個(gè)NANDFlash就可儲(chǔ)存所有的數(shù)據(jù)，因而減少了電子裝置的體積與電路的成本。

為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明電子裝置實(shí)施例的電路方塊圖。

圖2為本發(fā)明電子裝置另一實(shí)施例的電路方塊圖。

具體實(shí)施方式