[發(fā)明專利]一種片式熱敏電阻器的制造方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710028649.4 | 申請(qǐng)日: | 2007-06-14 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101067981A | 公開(kāi)(公告)日: | 2007-11-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張瑞彬;李志堅(jiān);楊曉;張遠(yuǎn)生;楊星宇;楊曉平;李松;肖平;程華才 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司;深圳市信瑞昌科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01C7/00 | 分類號(hào): | H01C7/00;H01C7/02;H01C7/04;H01C17/065;H01C17/00 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利代理有限公司 | 代理人: | 羅曉林 |
| 地址: | 526020廣東省肇慶市風(fēng)華路1*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 熱敏 電阻器 制造 方法 | ||
1、一種片式熱敏電阻器的制造方法,其步驟包括為
(1)在一絕緣陶瓷基片(200)的表面按設(shè)定的間距縱橫劃槽,形成帶有四方連續(xù)方格的劃槽面,設(shè)定縱向劃槽L2、橫向劃槽L3及劃槽面為正面、劃槽面的背面為反面;
(2)用厚膜絲網(wǎng)印刷方法在絕緣陶瓷基片(200)的反面以每個(gè)單元方格為基準(zhǔn)印刷導(dǎo)體漿料,逐格形成附著于兩端的層狀背電極(201);
(3)用厚膜絲網(wǎng)印刷方法在絕緣陶瓷基板(200)正面以每個(gè)單元方格為基準(zhǔn)印刷導(dǎo)體漿料,逐格形成附著于兩端的層狀面電極(202);
(4)用厚膜絲網(wǎng)印刷方法在步驟(3)的每個(gè)單元方格內(nèi)印刷熱敏電阻漿,熱敏電阻漿覆蓋單元方格中部的絕緣陶瓷基板(200)并與位于兩端的面電極(202)搭接,形成層狀熱敏電阻(203);
(5)在熱敏電阻(203)的表面用厚膜絲網(wǎng)印刷方法印刷保護(hù)漿料,保護(hù)漿料覆蓋層狀熱敏電阻(203)并與兩端的層狀面電極(202)搭接,形成保護(hù)層(204),每個(gè)單元方格兩端均有層狀面電極(202)呈條形裸露在外。
2、如權(quán)利要求1所述的片式熱敏電阻器制造方法,其特征在于面電極(202)呈梯形狀、矩形狀、半圓弧半矩形狀或凸凹連續(xù)形狀排列印刷在絕緣基片(200)正面上,縱向劃槽L2與面電極邊重合。
3、如權(quán)利要求2所述的片式熱敏電阻器制造方法,其特征在于背電極(201)的材質(zhì)是銀Ag,面電極(202)的材質(zhì)是銀Ag或者銀Ag、鈀Pd合金。
4、如權(quán)利要求3所述的片式熱敏電阻器制造方法,其特征在于熱敏電阻層(203)是錳Mn、鈷Co、鎳Ni、銅Cu、鐵Fe、銀Ag中的一種或兩種以上的合金組合物。
5、如權(quán)利要求4所述的片式熱敏電阻器制造方法,其特征在于保護(hù)層(204)是硅酸鹽玻璃、環(huán)氧樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂中的一種。
6、如權(quán)利要求5所述的片式熱敏電阻器制造方法,其特征在于利用絕緣陶瓷基片(200)本身的縱向劃槽L2,將絕緣陶瓷基片(200)掰開(kāi)成縱向條狀單元,然后縱向條狀單元的兩長(zhǎng)向側(cè)端面上裸露的條形層狀面電極(202)完全被銀Ag質(zhì)或鎳鉻合金端面電極(205)包裹和覆蓋。
7、如權(quán)利要求6所述的片式熱敏電阻器制造方法,其特征在于利用絕緣陶瓷基片(200)的條狀單元上的橫向劃槽L3,將條狀單元折裂成獨(dú)立的單元方格,單元方格附著有銀Ag質(zhì)端面電極(205)的兩側(cè)被鎳Ni質(zhì)中間電極(206)完全包裹和覆蓋,然后再將錫Sn質(zhì)外部電極(207)完全包裹和覆蓋在中間電極(206)上。
8、一種由權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)方法制造的片式熱敏電阻器,其特征在于面電極(202)呈梯形狀、矩形狀、半圓弧半矩形狀或凸凹偶合形狀分別印刷在單元絕緣陶瓷基片(200)正面兩端,端頭與該面電極邊重合。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司;深圳市信瑞昌科技有限公司,未經(jīng)廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司;深圳市信瑞昌科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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