[發明專利]一種多功能免疫芯片及其制法和在免疫檢測中的應用無效
| 申請號: | 200710025585.2 | 申請日: | 2007-08-07 |
| 公開(公告)號: | CN101109749A | 公開(公告)日: | 2008-01-23 |
| 發明(設計)人: | 朱俊杰;崔榮靜 | 申請(專利權)人: | 南京大學 |
| 主分類號: | G01N33/543 | 分類號: | G01N33/543;G01N33/53;G01N33/52;G01N21/00;G01N27/48 |
| 代理公司: | 南京知識律師事務所 | 代理人: | 黃嘉棟 |
| 地址: | 210093*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 多功能 免疫 芯片 及其 制法 檢測 中的 應用 | ||
1.一種多功能免疫芯片,其特征是:它是在銦錫氧化物半導體透明導電膜上吸附有金膠納米粒子,再在其表面上覆蓋有留有空洞的聚二甲基硅氧烷硅橡膠。
2.一種制備權利要求1所述的多功能免疫芯片的方法,其特征是它由下列步驟組成:
步驟1.將銦錫氧化物半導體透明導電膜依次經過丙酮、乙醇、水超聲清洗,然后在1∶1的乙醇與濃度為1M的NaOH混合溶液里超聲15分鐘或者在體積比為1∶1∶5的濃度為30%的H2O2溶液/濃度為30%的NH4OH溶液/H2O混合溶液中浸泡1小時;
步驟2.將步驟1沖洗干凈的銦錫氧化物半導體透明導電膜浸在質量百分比濃度為0.05%-0.5%的聚二烯丙基二甲基胺鹽酸鹽的水溶液中20分鐘或者是浸在質量百分比濃度為1%-5%的硅烷偶聯劑KH550的水溶液中5-10小時,然后把清洗干凈的銦錫氧化物半導體透明導電膜浸入粒徑為20nm的金膠溶液里20分鐘;
步驟3.將步驟2的銦錫氧化物半導體透明導電膜清洗干凈,經氮氣吹干后,把一個2-3mm厚的、中間開有一個直徑為4-6mm圓形空洞的聚二甲基硅氧烷硅橡膠粘貼在銦錫氧化物半導體透明導電膜芯片表面上,即制得本發明的多功能免疫芯片。
3.一種用權利要求1所述的多功能免疫芯片的免疫檢測方法,其特征是它由下列步驟組成:
步驟1.把10μL濃度為0.4-1mg/mL的羊抗人IgG抗體滴于多功能免疫芯片的免疫反應區域,將其置于4℃飽和濕潤的環境,反應12-16小時,然后用濃度然后用50mM的PBS緩沖液與吐溫-20的混合溶液清洗,其中吐溫-20在PBS中的質量百分濃度為0.05%,干燥后的芯片浸入質量百分濃度為3-5%的脫脂奶粉室溫封閉1-2小時,
步驟2.將步驟1所得的芯片清洗后再滴入10μL要檢測的樣品,在37℃下溫育50分鐘。然后再滴入10μL?CdTe量子點-鼠抗人IgG抗體結合物進行反應,經過50分鐘的溫育以后,完全清洗后的芯片進行下一步的測試,
步驟3.光學檢測方法:用凝膠成像體系檢測步驟2得到的芯片上量子點的熒光強度,光強度可用Quantity?One軟件計算,其響應與每個芯片所測的抗原的濃度成線性關系。
4.根據權利要求3所述的多功能免疫芯片的免疫檢測方法,其特征是:所述的步驟3可以用下列步驟替代:
步驟3.溶出伏安檢測方法:將步驟2得到的芯片上的CdTe光量子用100μL濃度為0.10?M的HNO3溶液超聲溶解,使Cd2+釋放出來,然后把HNO3溶液移入900μL濃度為0.2M、pH為4.6的醋酸緩沖溶液中,然后采用方波溶出伏安法測定Cd2+的濃度,其濃度與芯片上所測的抗原的量成線性關系。
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