[發明專利]外延型軟恢復二極管

無效

• 申請號: 200710025366.4
• 申請日: 2007-07-26
• 公開（公告）號: CN101110450A
• 公開（公告）日: 2008-01-23
• 發明（設計）人: 趙善麒;劉利峰;王曉寶
• 申請（專利權）人: 江蘇宏微科技有限公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861
• 代理公司: 常州市維益專利事務所
• 代理人: 賈海芬

1.一種外延型軟恢復二極管，包括在半導體芯片中N型雜質和P型雜質形成的陰極區和陽極區、基區以及芯片兩端面的金屬層構成的陰電極和陽電極，其特征在于：所述的陰極區為高濃度的N型雜質的襯底層，陽極區為P型雜質層；所述的基區為相互連接的低濃度的N型雜質的外延層和N型雜質的外延電場阻斷層，外延電場阻斷層的雜質濃度介于襯底層的雜質濃度和外延層的雜質濃度之間，外延電場阻斷層與襯底層相連，外延層與P型雜質層相連。

2.根據權利要求1所述的外延型軟恢復二極管，其特征在于：所述的外延電場阻斷層和外延層的過渡區厚度W為2um～8um，該過渡區為從外延電場阻斷層濃度的80％到外延層濃度的120％的寬度。

3.根據權利要求1所述的外延型軟恢復二極管，其特征在于：所述外延電場阻斷層的厚度在8um～35um。

4.根據權利要求1所述的外延型軟恢復二極管，其特征在于：所述外延層的厚度在20um～80um。

5.根據權利要求1所述的外延型軟恢復二極管，其特征在于：所述P型雜質層的厚度在5um～9um。

6.根據權利要求1所述的外延型軟恢復二極管，其特征在于：所述外延電場阻斷層的電荷量在3.0×10¹¹cm^-2～2.5×10¹²cm^-2。

7.根據權利要求1所述的外延型軟恢復二極管，其特征在于：所述外延層的電荷量在6.0×10¹⁰cm^-2～5.0×10¹¹cm^-2。

8.根據權利要求1所述的外延型軟恢復二極管，其特征在于：所述的P型雜質層的電荷量在5.0×10¹²cm^-2～9.0×10¹³cm^-2。