[發(fā)明專利]淺結(jié)二極管芯片的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710025364.5
• 申請日: 2007-07-26
• 公開（公告）號: CN101110364A
• 公開（公告）日: 2008-01-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉利峰;王曉寶;趙善麒
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇宏微科技有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329
• 代理公司: 常州市維益專利事務(wù)所
• 代理人: 賈海芬

1.一種淺結(jié)二極管芯片的制作方法，其特征在于：

(1)、氧化、光刻有源區(qū)：將拋光硅片進行清潔處理后進行氧化形成氧化層，在硅片的一面或雙面經(jīng)光刻、腐蝕形成有源區(qū)窗口；

(2)、離子注入：用離子注入機將砷原子或磷原子注入到有源區(qū)窗口，注入能量為：30～80kev，注入劑量1～5E15；

(3)、多晶硅淀積：在硅片表面淀積多晶硅層，淀積厚度控制在4000±500；

(4)、離子注入退火及磷擴散：將硅片推入800℃～950℃的磷擴散爐內(nèi)進行磷擴散，同時進行離子注入退火，時間控制在10～30min；

(5)、光刻多晶硅：經(jīng)光刻、腐蝕把有源區(qū)窗口以外的多晶硅層刻干凈；

(6)、金屬膜淀積：對硅片濺射或蒸發(fā)金屬膜；

(7)、光刻有源區(qū)：光刻、腐蝕掉有源區(qū)以外的金屬膜；

(8)、合金：在真空或在氮氣或/和氫氣的條件下進行合金，合金溫度控制在400℃～500℃，時間在25～35min，制成二極管芯片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的淺結(jié)二極管芯片的制作方法，其特征在于：所述第一次氧化層的厚度在2000～4000。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的淺結(jié)二極管芯片的制作方法，其特征在于：所述的金屬膜為鈦和鎳和銀；或釩和鎳和銀；或鉻和鎳和銀；或鈦和銀；或金；或鎳。