[發明專利]一種表面等離子共振芯片的再生方法

無效

• 申請號: 200710024054.1
• 申請日: 2007-07-16
• 公開（公告）號: CN101101289A
• 公開（公告）日: 2008-01-09
• 發明（設計）人: 羅昭鋒;歐惠超;李磊珂;陳宇春;張微微;燕云峰
• 申請（專利權）人: 中國科學技術大學
• 主分類號: G01N33/50
• 分類號: G01N33/50;G01N21/55;G01N21/41
• 代理公司: 安徽省合肥新安專利代理有限責任公司
• 代理人: 何梅生

1、一種表面等離子共振芯片的再生方法，其特征在于包括如下步驟：

(1)芯片表面的預處理：

a)將固定有芯片的支架放入體積百分濃度為50-100％乙醇水溶液中超聲處理至少1分鐘，然后將芯片從支架上夾取下來；

b)芯片表面的清洗：若經超聲處理的芯片表面粘附有雜質，則將芯片放入四氫呋喃或丙酮中浸泡或超聲處理至少1分鐘，取出后用水洗凈并干燥；若經超聲處理的芯片表面無粘附雜質，則用水洗凈并干燥；

c)芯片表面基質的去除：將上述處理的芯片放入硫酸與雙氧水按體積比100∶1-400的混合液中浸泡至少5分鐘，取出后用水洗凈并干燥；

(2)進行芯片表面基質的重構；

(3)將經表面基質重構后的芯片固定于芯片支架上；

所述芯片包括J1芯片、CM系列芯片、C1芯片、HPA芯片、SA芯片或NTA芯片；

所述J1芯片表面為純金膜，無其它任何基質；所述CM系列芯片包括CM5、CM4或CM3芯片：CM5芯片表面基質為羧甲基化葡聚糖，CM4芯片表面基質為較CM5芯片羧甲基化程度低的羧甲基化葡聚糖，CM3芯片表面基質為較CM5芯片低分子量的羧甲基化葡聚糖；所述C1芯片表面基質為無葡聚糖基質的直鏈羧化物；所述HPA芯片表面基質為疏水性物質；所述SA芯片表面基質為偶聯有鏈霉親和素的羧甲基化葡聚糖；所述NTA芯片表面基質為具有氮川三乙酸表面的羧甲基化葡聚糖。

2.如權利要求1所述表面等離子共振芯片的再生方法，特征在于所述芯片表面基質的重構步驟中，CM系列芯片表面基質重構是指：

將經預處理的芯片放入含有0.0001-0.1M巰基烷醇的體積百分濃度為50-100％的乙醇水溶液中浸泡至少5分鐘，取出后用水洗凈并干燥；

所述巰基烷醇包括巰基甲醇、2-巰基乙醇、3-巰基丙醇、4-巰基丁醇、5-巰基戊醇、6-巰基己醇、7-巰基庚醇、8-巰基辛醇、9-巰基壬醇、10-巰基癸醇、11-巰基十一烷醇、12-巰基十二烷醇、13-巰基十三烷醇、14-巰基十四烷醇、15-巰基十五烷醇、16-巰基十六烷醇、17-巰基十七烷醇或18-巰基十八烷醇中至少一種。

b)將經巰基烷醇溶液浸泡并清洗干燥處理的芯片放入含有0.01-10M環氧氯丙烷或0.01-10M環氧溴丙烷的由二甘醇二甲醚與0.01-10M堿金屬氫氧化物按體積比1∶1-5的配制而成的溶液中浸泡至少1分鐘，取出后用水洗凈并干燥；

c)將經環氧氯丙烷或環氧溴丙烷溶液浸泡并清洗干燥處理處理的芯片放入0.01-800g/L、分子量為1000-2000000道爾頓的葡聚糖水溶液中浸泡至少5分鐘，取出后用水洗凈并干燥；

d)將經步驟c表面基質重構后的芯片放入含有0.01-10M溴乙酸和0.01-10M堿金屬氫氧化物的水溶液中浸泡至少5分鐘，取出后用水洗凈并干燥。

3.如權利要求1所述表面等離子共振芯片的再生方法，特征在于所述芯片表面基質的重構步驟中，C1芯片表面基質的重構是指：

將經預處理的芯片放入含有0.0001-0.1M巰基烷酸的體積百分濃度為0-100％的乙醇水溶液中浸泡至少5分鐘，取出后用水洗凈并干燥；

所述巰基烷酸包括巰基乙酸、3-巰基丙酸、4-巰基丁酸、5-巰基戊酸、6-巰基己酸、7-巰基庚酸、8-巰基辛酸、9-巰基壬酸、10-巰基癸酸、11-巰基十一烷酸、12-巰基十二烷酸、13-巰基十三烷酸、14-巰基十四烷酸、15-巰基十五烷酸、16-巰基十六烷酸、17-巰基十七烷酸或18-巰基十八烷酸中至少一種。

4.如權利要求1所述表面等離子共振芯片的再生方法，特征在于所述芯片表面基質的重構步驟中，HPA芯片表面基質的重構是指：

將經預處理的芯片放入含有0.0001-0.1M烷基硫醇的體積百分濃度為0-100％的乙醇水溶液中浸泡至少5分鐘，取出后用水洗凈并干燥；

所述烷基硫醇包括甲硫醇、乙硫醇、1-丙硫醇、異丙硫醇、1-丁硫醇、叔丁硫醇、1-戊硫醇、1-己硫醇、1-庚硫醇、1-辛硫醇、1-壬硫醇、1-葵硫醇、1-十一硫醇、1-十二硫醇、叔十二硫醇、1-十三硫醇、1-十四硫醇、1-十五硫醇、1-十六硫醇、叔十六硫醇、1-十七硫醇或1-十八硫醇中至少一種。