[發明專利]鎢酸鋯－銅梯度復合薄膜的制備方法

無效

• 申請號: 200710023646.1
• 申請日: 2007-10-15
• 公開（公告）號: CN101117705A
• 公開（公告）日: 2008-02-06
• 發明（設計）人: 嚴學華;程曉農;宋娟;趙國平
• 申請（專利權）人: 江蘇大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/06;C23C14/54;C23C14/58
• 代理公司: 南京知識律師事務所
• 代理人: 汪旭東

1.鎢酸鋯-銅梯度復合薄膜的制備方法，其特征在于，按照以下步驟進行：

(1)磁控濺射靶材的制備

將ZrO₂和WO₃按照1∶2的摩爾比進行稱量，并加入蒸餾水進行攪拌，球磨烘干；將干燥后的混合物進行篩選，添加占氧化物總重量的4～10％的粘結劑PVA混合均勻，并在60～100Mpa下壓制成靶材；將靶材進行燒結，在1150～1250℃下保溫半個小時以上燒制成靶材；取出靶材進行打磨確保靶材上下面平整；銅靶選用市售靶材；

(2)對單晶Si(100)基片按常規工藝進行表面活化處理

(3)磁控共濺射工藝過程

把復合氧化物、銅靶材和硅片分別置入主濺射室和進樣室，并對主濺射室和進樣室抽真空，對氧化物靶材進行預濺射清洗以去除表面雜質；調節氬氣與氧氣體積比為0～1之間，調節基材與靶材間距為5～15cm，調節濺射功率130～250W起輝濺射；設定鍍第一層時復合氧化物靶的濺射功率為200～280W，Cu靶的濺射功率為50～70W，以后每間隔1小時增加Cu靶的濺射功率10～20W，同時減小復合氧化物靶的濺射功率20～50W，濺射后從主濺射室取出試樣；

(4)薄膜的后熱處理

將鍍有薄膜的基材取出，置入還原性氣氛保護下，加熱至720～760℃，保溫3～4分鐘后退火至室溫，即可以得到均勻致密，附著強度高的ZrW₂O₈/Cu梯度復合薄膜。

2.權利要求1所述鎢酸鋯-銅梯度復合薄膜的制備方法，其特征在于：步驟3中把復合氧化物、銅靶材和硅片分別置入主濺射室和進樣室，并對主濺射室和進樣室抽真空至1×10^-5～9×10^-5Pa。

3.權利要求1所述鎢酸鋯-銅梯度復合薄膜的制備方法，其特征在于：對氧化物靶材進行濺射時自偏壓為1360V，真空度為3×10^-3～8×10^-3Pa，濺射氣壓為2～3.5pa，濺射時間為2～3小時。