[發明專利]一種制備具有密堆積結構的納米超薄晶片的方法

無效

• 申請號: 200710023415.0
• 申請日: 2007-06-01
• 公開（公告）號: CN101092737A
• 公開（公告）日: 2007-12-26
• 發明（設計）人: 宋鳳麒;周豐;韓民;賀龍兵;張璐;趙時峰;萬建國;王廣厚
• 申請（專利權）人: 南京大學
• 主分類號: C30B23/00
• 分類號: C30B23/00;C30B29/64
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司
• 代理人: 湯志武;王鵬翔

1、制備具有密堆積結構的納米超薄晶片的方法，其特征是采用氣相團簇束流源產生顆粒直徑在1-50納米之間尺寸分布集中的納米團簇束流，以納米晶片的材料壓制成為濺射靶材，并將其電離，加速，使得從其出發到襯底時的納米顆粒能量在接近或剛超過顆粒的整個結合能的區間，襯底選用非取向的非晶襯底，將納米顆粒束流高能沉積在襯底上。

2、根據權利要求1所述的制備具有密堆積結構的納米超薄晶片的方法，其特征是利用同步工作的石英晶振膜厚儀控制沉積材料厚度，實現超薄納米薄片的制備。

3、根據權利要求1所述的制備具有密堆積結構的納米超薄晶片的方法，其特征是單個原子的顆粒能量在20-100keV。

4、根據權利要求1所述的制備具有密堆積結構的納米超薄晶片的方法，其特征是采用單個顆粒攜帶能量接近顆粒總結合能，尺寸在1-50個納米的包含10²～10⁴個原子的團簇束流沉積在非定向的襯底上，得到具有密堆積結構的超薄納米晶片。

5、根據權利要求1所述的制備具有密堆積結構的納米超薄晶片的方法，其特征是納米晶片的材料通過改變濺射靶材進行改變；納米顆粒的尺寸通過氣相團簇室的生長長度和氣體流量調節；納米顆粒束流的能量可過在襯底施加高壓的方法進行調節；最終晶片的尺寸和厚度通過石英晶振膜厚儀和束流參數來調節。

6、根據權利要求1所述的制備具有密堆積結構的納米超薄晶片的方法，其特征是在制樣靶室中LN冷凝的He氣，調節Ar流量，50±20sccm，He的流量30±10sccm，保持靶室氣壓在10²Pa，促進納米顆粒的生長；將形成的納米顆粒利用差分抽氣方法10²Pa到10^-3Pa通過一個小孔從靶室從引出形成束流，調節沉積率大于1埃/分鐘，并將其沉積在基底上，基底上施加20一50kY的偏壓。

7、根據權利要求1所述的制備具有密堆積結構的納米超薄晶片的方法，其特征是納米晶片的材料是C、BN、AL或SiO₂壓制成為濺射靶材。