[發(fā)明專利]陽光控制低輻射、紫外線截止、光催化殺菌多功能鍍膜玻璃及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710022841.2
• 申請日: 2007-05-24
• 公開（公告）號: CN101054268A
• 公開（公告）日: 2007-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 盧秀強(qiáng)
• 申請（專利權(quán)）人: 盧秀強(qiáng)
• 主分類號: C03C17/34
• 分類號: C03C17/34;C03C17/22;C03C4/00;C03C4/08;C23C14/06;C23C14/35
• 代理公司: 淮安市科文知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所
• 代理人: 謝觀素

1、陽光控制低輻射、紫外線截止、光催化殺菌多功能鍍膜玻璃，其特征在于：鍍膜玻璃的膜層結(jié)構(gòu)自基片玻璃依次向外為：

玻璃、陽光控制紅外線反射膜層、紫外線截止膜層、光催化殺菌膜層，或玻璃、紫外線截止膜層、陽光控制紅外線反射膜層、光催化殺菌膜層；其中陽光控制紅外線反射膜層的化學(xué)組成為：透明寬帶隙半導(dǎo)體氧化物：In₂O₃:Sn膜、SnO₂:Sb膜或ZnO:Al膜；紫外線截止膜層的化學(xué)組成為：氧化鈦和氧化鈰的復(fù)合物；光催化殺菌膜層的化學(xué)組成為：銳鈦礦結(jié)構(gòu)二氧化鈦；

紫外線截止膜層中各組份質(zhì)量百分比為氧化鈦(0～90％)：氧化鈰(10～100％)，膜層厚度為10-500納米；

陽光控制紅外線反射膜層中的透明寬帶隙半導(dǎo)體氧化物各組份質(zhì)量百分比為：In₂O₃(50.0％～99.0％)∶Sn(50.0％～1.0％)、或者SnO₂(80.0％～99.9％)∶Sb(20.0％～0.1％)、或者ZnO(85.0％～99.9％)∶Al(15.0％～0.1％)，膜層厚度為10-500納米；

光催化殺菌膜層為：銳鈦礦TiO₂，膜層厚度為10-500納米。

2、陽光控制低輻射、紫外線截止、光催化殺菌多功能鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于：包括下列步驟：

(1)對玻璃基片進(jìn)行清洗、干燥后，再進(jìn)行預(yù)真空過渡；然后，

(2)按權(quán)利要求1所述質(zhì)量百分比配制三種靶材，其中的銳鈦礦TiO₂膜的靶材為金屬鈦；

(3)采用磁控濺射方法鍍制膜層：在純氬氣或在氬、氧混合氣體氛圍中對玻璃基片進(jìn)行磁控濺射鍍膜，濺射氣壓范圍為0.10Pa至3.0Pa，濺射時(shí)氬、氧混合氣體中氧氣所占質(zhì)量百分比為0＜至≤90％；玻璃基片鍍膜時(shí)，熱處理溫度為20～500℃；

采用下述兩種方法之一進(jìn)行鍍膜：a、按權(quán)利要求1所述，先用透明寬帶隙半導(dǎo)體氧化物三種材料之一配制的靶材對玻璃基片進(jìn)行磁控濺射鍍內(nèi)層膜，然后用氧化鈰、氧化鈦靶材進(jìn)行磁控濺射鍍中間層膜，再用金屬鈦?zhàn)鳛闉R射靶材，通過反應(yīng)濺射沉積銳鈦礦TiO₂外層膜；或b、按權(quán)利要求1所述，先用氧化鈰、氧化鈦靶材對玻璃基片進(jìn)行磁控濺射鍍內(nèi)層膜，然后用透明寬帶隙半導(dǎo)體氧化物三種材料之一配制的靶材進(jìn)行磁控濺射鍍中間層膜，再用金屬鈦?zhàn)鳛闉R射靶材，通過反應(yīng)濺射沉積銳鈦礦TiO₂外層膜。

3、如權(quán)利要求2所述的陽光控制低輻射、紫外線截止、光催化殺菌多功能鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于：所述的步驟(3)中的玻璃基片鍍膜時(shí)，采用在線加熱，在線溫度為：20～500℃范圍。

4、如權(quán)利要求2所述的陽光控制低輻射、紫外線截止、光催化殺菌多功能鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于：所述的步驟(3)中的玻璃基片鍍膜時(shí)，采用不在線加熱，加熱溫度為：20～500℃范圍，加熱時(shí)間10-100分鐘。