[發(fā)明專利]微電子機械微波頻率檢測器及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710022426.7
• 申請日: 2007-05-18
• 公開（公告）號: CN101059541A
• 公開（公告）日: 2007-10-24
• 發(fā)明（設計）人: 廖小平;焦永昌
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: G01R23/12
• 分類號: G01R23/12
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司
• 代理人: 葉連生

1.一種微電子機械微波頻率檢測器，其特征在于該檢測器以砷化鎵為襯底(1)，在襯底(1)上設有功率分配器(a)、功率合成器(b)、共面波導傳輸線(e)、固支梁結構(c)：

功率分配器(a)、功率合成器(b)由共面波導構成的端口一(6)、端口二(7)、端口三(8)、不對稱共面帶線(9)、氮化鉭電阻(2)組成，端口一(6)通過不對稱共面帶線(9)分別接端口二(7)、端口三(8)，在與端口二(7)、端口三(8)相接的兩不對稱共面帶線(9)之間連接有氮化鉭電阻(2)；

固支梁結構(c)以砷化鎵為襯底(1)、在襯底(1)上的中間設有CPW的信號線(14)，在共面波導的信號線(14)的兩旁分別設有共面波導的地線(3)，在共面波導的地線(3)外的兩旁分別設有傳感電極(4)，傳感電極(4)通過傳感電極引線(11)接電容檢測端口(13)的一個端，共面波導的地線(3)接電容檢測端口(13)的另一個端，在傳感電極(4)外的兩旁分別設有橋墩(5)，在橋墩(5)上設有固支梁(12)，在固支梁(12)下方的共面波導的信號線(14)、共面波導的地線(3)、傳感電極(4)表面設有氮化硅介質層(10)。

2.一種如權利要求1所述的微電子機械微波頻率檢測器的制備方法，其特征在于制備方法為：

1)準備砷化鎵襯底(1)；選用的是未摻雜的半絕緣砷化鎵襯底，

2)淀積氮化鉭，

3)光刻并刻蝕氮化鉭，形成功率分配器、功率合成器的匹配電阻，即氮化鉭電阻(2)，

4)光刻；去除在功率分配器(a)、功率合成器(b)、共面波導傳輸線(e)、傳感電極(4)、固支梁結構(c)的橋墩(5)結構處的光刻膠，

5)濺射金，剝離去除光刻膠；形成功率分配器(a)、功率合成器(b)、共面波導傳輸線(e)、傳感電極(4)、固支梁結構(c)的橋墩(5)，金的厚度為0.3μm，

6)淀積氮化硅介質層；用等離子體增強化學氣相淀積法工藝生長1000埃的氮化硅介質層(10)，

7)光刻并刻蝕氮化硅介質層：保留固支梁(12)下方CPW的信號線(14)、共面波導的地線(3)、傳感電極(4)上的氮化硅，

8)淀積并光刻聚酰亞胺犧牲層：在砷化鎵襯底上涂覆1.6μm厚的聚酰亞胺犧牲層，要求填滿凹坑，聚酰亞胺犧牲層的厚度決定了固支梁(12)與氮化硅介質層(10)所在平面的距離，光刻聚酰亞胺犧牲層，僅保留固支梁(12)下的犧牲層，

9)濺射鈦、金、鈦：順序濺射用于電鍍功率分配器、功率合成器、共面波導傳輸線、固支梁結構的底金，鈦、金、鈦分別為500埃、1500埃、300埃，

10)光刻步驟9)形成的鈦、金、鈦底金：去除功率分配器、功率合成器、共面波導傳輸線、固支梁以外的光刻膠，

11)電鍍金：電鍍金的厚度為2μm，

12)去除光刻膠，

13)反刻金層，腐蝕底金層，形成功率分配器、功率合成器、共面波導傳輸線、固支梁，

14)釋放犧牲層：用顯影液溶解固支梁結構下方的聚酰亞胺犧牲層，并用無水乙醇脫水，形成懸浮的固支梁結構。