[發明專利]高壓MOSFET器件無效
| 申請號： | 200710021390.0 | 申請日： | 2007-04-10 |
| 公開（公告）號： | CN101030601A | 公開（公告）日： | 2007-09-05 |
| 發明（設計）人： | 韓小亮;王非 | 申請（專利權）人： | 韓小亮 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L27/04;H01L27/092 |
| 代理公司： | 南京天翼專利代理有限責任公司 | 代理人： | 湯志武;王鵬翔 |
| 地址： | 210000江蘇省南京*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高壓 mosfet 器件 | ||
【說明書】：
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于韓小亮，未經韓小亮許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710021390.0/2.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
