[發明專利]一種亞穩態Cu基和Ni基合金復合箔及其制備方法有效
| 申請號: | 200710019098.5 | 申請日: | 2007-11-19 |
| 公開(公告)號: | CN101168310A | 公開(公告)日: | 2008-04-30 |
| 發明(設計)人: | 翟秋亞;徐錦鋒 | 申請(專利權)人: | 西安理工大學 |
| 主分類號: | B32B15/01 | 分類號: | B32B15/01;C22C9/02;C22C19/03;C22C1/02;B22D11/01 |
| 代理公司: | 西安弘理專利事務所 | 代理人: | 羅笛 |
| 地址: | 710048*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 亞穩態 cu ni 合金 復合 及其 制備 方法 | ||
1.一種亞穩態Cu基和Ni基合金復合箔,由Cu基合金層和Ni基合金層組成,所述的Cu基合金層的組分按照重量百分比,其組成為:Sn為7%~20%,B為0.5%~1.0%,其余為Cu;所述的Ni基合金層的組分按照重量百分比,其組成為:Si為5%~9%,B為0.5%~1.0%,其余為Ni。
2.根據權利要求1所述的亞穩態Cu基和Ni基合金復合箔,其特征在于:所述的Cu基合金層厚為15~25μm,所述的Ni基合金層厚為15~25μm。
3.一種制備權利要求1所述復合箔的方法,其特征在于:該方法使用如下的裝置制備,
該裝置包括一真空室(5),在真空室(5)的壁板上設置有真空泵(11)和由電機(7)驅動的輥輪(8),在真空室(5)的上面連接有小真空室(1),小真空室(1)設置有氬氣進口,小真空室(1)的底部與坩堝(2)接通,坩堝(2)的內腔被中隔分開成兩個熔煉室,每個熔煉室的底部分別開設有一個長條型的噴嘴,坩堝(2)放置在高頻感應線圈(6)中,高頻感應線圈(6)位于輥輪(8)的上方,在真空室(5)的側邊設置有收集室(3)。
該方法按照以下步驟實施,
步驟1、分別稱量母合金Cu基母合金和Ni基母合金,Cu基合金層的組分按照重量百分比組成為:Sn為7%~20%,B為0.5%~1.0%,其余為Cu;Ni基合金層的組分按照重量百分比組成為:Si為5%~9%,B為0.5%~1.0%,其余為Ni,對上述稱量的Cu基母合金和Ni基母合金分別進行熔配,
步驟2、把上步熔配得到的Cu基母合金和Ni基母合金分別放入坩堝(2)的兩個內腔中;再將坩堝(2)放置在高頻感應線圈(6)中;
步驟3、開啟真空泵(11),將真空室(5)抽真空至0.1~0.25Pa,再從氬氣進口充高純氬氣至0.95~1.05kPa,反復“抽真空-充Ar氣”過程3~5次,然后使用高頻感應設備加熱,使Cu基母合金和Ni基母合金熔化并保持3~5min;
步驟4、開啟電機(7),驅動輥輪(8)旋轉,隨即從氬氣進口充入高速Ar氣,將熔化的Cu基和Ni基合金液分別從坩堝下面的噴嘴噴出,并沿輥輪表面急冷凝固,得到Cu基和Ni基雙層合金箔帶。
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