[發明專利]小型化GIS避雷器用非線性電阻片的制備方法

有效

• 申請號: 200710018968.7
• 申請日: 2007-10-30
• 公開（公告）號: CN101140821A
• 公開（公告）日: 2008-03-12
• 發明（設計）人: 馬軍;王玉平;胡小定
• 申請（專利權）人: 西安電力機械制造公司
• 主分類號: H01C7/12
• 分類號: H01C7/12;H01C7/10;H01C17/00
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司
• 代理人: 劉國智

技術領域

本發明涉及一種避雷器用非線性電阻片的制備方法，特別涉及一種小型化GIS避雷器用非線性電阻片的制備方法。

技術背景

GIS(以六氟化硫氣體為絕緣和滅弧介質的高壓開關設備)用避雷器由于體積較大、重量重，增加了占地面積和運輸費用，為了減小避雷器的尺寸，需要減輕避雷器電阻芯體的體積和重量，因而要求電阻芯體的電阻片趨于小型化，提高電阻片電位梯度是一種有效的技術手段，而現有的D5型氧化鋅非線性電阻片的電位梯度較低(200v/mm)，如果要減小電阻片的尺寸，其不能滿足小型化GIS避雷器對非線性電阻片的電位梯度(300-400v/mm)，以及方波通流容量的要求。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種高電位梯度(300-400v/mm)、同時方波耐受能力、壓比老化性能好的避雷器用氧化鋅非線性電阻片的制備方法，以滿足小型化GIS避雷器制造的要求。

為達到以上目的，本發明是采取如下技術方案予以實現的：一種小型化

GIS避雷器用非線性電阻片的制備方法，其特征在于，包括下述步驟：

a.原料配比，按摩爾百分比，包括下述組分：添加劑Bi₂O₃：0.7-0.8％，Sb₂O₃：0.7-0.8％，Cr₂O₃：0.4-0.6％，，MnCO₃：0.4-0.6％，Co₂O₃：0.9-1.1％，SiO₂，：0.6-0.8％，Y₂O₃：0.1-1％，余量為主料ZnO；

b.將所述的各添加組分和主料ZnO進行配料計算后稱重，將添加劑組分先混合煅燒，然后與ZnO混合進行濕法粉碎；

c.粉碎后的料漿進行噴霧造粒成造粒料，將造粒料裝入鋼模壓力成型，制成圓片形素坯，

d.將素坯裝入窯爐中進行排膠，然后在1100℃保溫4小時燒成，制成圓餅形陶瓷片；

e.將燒成后的陶瓷片兩端面研磨后進行熱處理；熱處理溫度為500℃，不保溫；

f.將熱處理好的陶瓷片兩端面噴鋁電極，最后在陶瓷片圓周面涂敷絕緣層，即制得電阻片。

上述方案中，所述的原料配比中，外加MgO：0.1～0.2摩爾％。所述的步驟d、e的排膠過程、燒成過程和熱處理過程均采用隧道式電窯連續進行。

本發明的有益效果是：

1、當Y₂O₃的添加范圍在0.1-1％內時，在電阻片的燒成過程中與Sb，Bi，Zn等元素在氧化鋅晶界上形成了與鋅銻尖晶石相不同的小顆粒，阻礙了主晶粒長大，提高了電位梯度，同時保持其他電性能，如方波性能的穩定。

2、本發明中去掉了通常規配方中加入的添加劑NiO，可起到到降低壓比，提高電位梯度，降低漏流的作用.如表1所示。

3、本發明可在組成中外加MgO0.1～0.2摩爾％，可提高電阻片的晶界勢壘和非線性。

4.排膠過程、燒成過程和熱處理過程均采用隧道式電窯連續進行，從而使得批量生產的產品性能均一性良好。采用500℃連續熱處理不保溫，不但可提高生產效率，處理后的電阻值穩定性也好。

表1