[發明專利]一種導電型阻隔層LaNiO3的制備方法無效
| 申請號： | 200710018599.1 | 申請日： | 2007-09-05 |
| 公開（公告）號： | CN101178954A | 公開（公告）日： | 2008-05-14 |
| 發明（設計）人： | 盧亞鋒;王耀;李成山;閆果 | 申請（專利權）人： | 西北有色金屬研究院 |
| 主分類號： | H01B13/00 | 分類號： | H01B13/00;H01B5/14;H01B12/06;H01L39/24;B01J19/00;B05D1/40;B05D5/12;B05D7/24;B05D3/02;C22F1/00 |
| 代理公司： | 西安創知專利事務所 | 代理人： | 譚文琰 |
| 地址： | 71001*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 導電 阻隔 lanio sub 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種導電型阻隔層LaNiO3的制備方法，其特征在于制備過程為：
(1)將結晶水含量確定的硝酸鑭和醋酸鎳固體按照摩爾比為1∶1的比例稱取混合，加冰醋酸溶解，配置成總摩爾濃度為c的穩定的前驅液，其中0.1≤c≤1.0mol/L；
(2)將步驟(1)中的前驅液旋涂于YSZ單晶基片上；將涂好的YSZ單晶基片置于管式爐中，從室溫以不低于5℃/分鐘的升溫速率加熱，在300-450℃的溫度下恒溫0-5小時，以形成無定形的前驅膜；
(3)然后繼續以不低于5℃/分鐘的升溫速率加熱，在500-700℃的溫度下恒溫0.5-3小時，最后以不低于2℃/分鐘的降溫速率冷卻至室溫，即制得LaNiO3阻隔層。
2.根據權利要求1所述的一種導電型阻隔層LaNiO3的制備方法，其特征在于：將所述前驅液旋涂于已用丙酮超聲清洗過的YSZ單晶基片上，以3000轉/分鐘的速率旋涂30秒鐘。
3.根據權利要求1或2所述的一種導電型阻隔層LaNiO3的制備方法，其特征在于：所述YSZ單晶基片為SrTiO3單晶基片、NdGaO3單晶基片或LaAlO3單晶基片。
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