[發明專利]負居里點正溫度系數PTCR熱敏電阻元件

無效

• 申請號: 200710018369.5
• 申請日: 2007-07-30
• 公開（公告）號: CN101127265A
• 公開（公告）日: 2008-02-20
• 發明（設計）人: 陳玉富;牛順祥
• 申請（專利權）人: 韓城市華龍電子有限責任公司
• 主分類號: H01C7/02
• 分類號: H01C7/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

所屬技術領域

本發明負居里點正溫度系數PTCR熱敏電阻元件屬電子技術領域，尤其涉及PTC熱敏電阻元件。

背景技術

PTC熱敏電阻是新興的電子元器件，廣泛應用于彩電、冰箱、計算機、節能燈、程控交換機、汽車、微電機、電子線路、電熱器具等領域，作為過熱過電流保護、加熱、消磁、測控溫度、溫度補償的配套元件，由于其使用簡單，利于降低整機成本，已逐步發展為不可替代的電子元器件。本世紀初，國內PTC熱敏電阻又取得了長足發展，通過對PTC效應新機理論和對微粉工程與微觀結構的研究，促進了新材料，新器件和新結構的開發利用，使PTC熱敏電阻向高性能化、低阻化、小型化和高效化發展。近年來隨著國內電子產品和家電產品出口量的增加，國外市場對PTC熱敏電子元件的功能要求越來越高，而國產電子元件都存在受溫度影響使原有技術參數飄移，使其功能不能可靠工作，特別是更難在零度以下穩定工作，易產生誤動作，使原設計功能不能穩定實現，國內PTCR開關溫度下限值只能做到TC＝0℃，產品很難符合美國UL943標準，為了拓寬國外市場，研究開發負居里點正溫度系數PTCR電阻元件已是當務之急。

發明內容

本發明的目的是：開發一種集過流、過壓、過熱三種參數為一體的功能保護型熱敏電阻元件，其負居里點要達到-15℃、-20℃、-30℃，要能確保在負溫度環境或不同環境溫度下的各種電子電路準確穩定地工作。

為了實現上述發明目的，本發明的技術方案是：負居里點正溫度系數PTCR熱敏電阻元件是以其負居里點要附合外商提出的技術要求為目標，負居里正溫度系數PTCR熱敏電阻元件由主體熱敏電阻芯片和兩根引線組成，其中熱敏電阻芯片有五層，中層為鈦酸鋇半導體瓷體，中層上下內層為厚度0.002毫米的通用型歐姆接觸電極，上下最外層為厚度0.002毫米的通用型銀電極；鈦酸鋇半導體瓷體原料配方組成是：碳酸鋇0.5摩爾，碳酸鍶0.5摩爾，二氧化鈦1.023摩爾，三氧化二釔0.007摩爾，五氧二鉭0.0015摩爾，二氧化硅0.02摩爾，五氧化二鈮0.0008摩爾，碳酸鈣0.005摩爾，三氧化二鋁0.004摩爾，二氧化錳0.03摩爾，分子銀0.02摩爾；制造負居里點正溫度系數PTCR熱敏電阻元件的工藝是：先取鈦酸鋇半導體瓷體原料分別粉碎過60目篩后成細粉，按比例稱量，混合均勻后進行煅燒，開始時以每小時升溫330℃升溫至1150℃，再用1150℃的溫度保溫2小時后降溫至800℃，降溫至800℃后保溫1小時，又以每小時降溫400℃直至室溫；將煅燒后的材料再次粉碎過60目篩成細粉，經流延成型后用每小時升溫300℃升溫到1345℃，再用1345℃的溫度保溫90分鐘后即自然降溫至1120℃，在1120℃的溫度下保溫1小時又以每小時降溫400℃直至室溫，成鈦酸鋇半導體瓷體；最后在瓷體上下粘附歐姆接觸電極和銀電極引線與芯片浸焊后得負居里點正溫度系數PTCR熱敏電阻元件。

本發明的有益效果是：負居里點正溫度系數PTCR熱敏電阻元件中的鈦酸鋇半導體瓷體材料配方科學，并通過確定最佳煅燒溫度及升溫、降溫速率，形成優良PTC性能，使其電阻率處在20Ω·cm-20KΩ·cm的范圍，在居里溫度TC以上的溫區，電阻突然躍增幾個數量級，使產品應用在負溫度環境或不同環境溫度下的各種電子電路的過流、過壓、過熱保護中，負居里點達到-15℃、-20℃、-30℃，所研發產品被浙江山盛、東塢集團、福建鴻岸公司在生產GFCI接地故障斷路器大批量試用時其開關性能大大提高，開關適應的溫度區增大，并通過了美國UL認證。

具體實施方案

1、原材料購制：