[發(fā)明專利]一種提高埋弧電阻爐功率因數(shù)的二次低壓補(bǔ)償裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710018090.7
• 申請日: 2007-06-19
• 公開（公告）號: CN101330216A
• 公開（公告）日: 2008-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 白玉龍
• 申請（專利權(quán)）人: 西安瑞馳電力設(shè)備有限公司
• 主分類號: H02J3/18
• 分類號: H02J3/18
• 代理公司: 西安集思得知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 張晉吉

1.一種提高埋弧電阻爐功率因數(shù)的二次低壓補(bǔ)償裝置，包括三相補(bǔ)償電路，其特征在于：所述的三相補(bǔ)償電路分別通過補(bǔ)償系統(tǒng)短網(wǎng)(BD)接在電爐變壓器二次側(cè)，所述三相補(bǔ)償電路的每相包括電容器(C)，該電容器(C)通過聯(lián)接導(dǎo)線(L)接在補(bǔ)償系統(tǒng)短網(wǎng)(BD)上。

2.如權(quán)利要求1所述的電爐二次低壓補(bǔ)償裝置，其特征在于：所述三相相補(bǔ)償電路的每相由靜態(tài)補(bǔ)償器構(gòu)成；所述的靜態(tài)補(bǔ)償器由電容器(C)構(gòu)成。

3.如權(quán)利要求1所述的電爐二次低壓補(bǔ)償裝置，其特征在于：所述三相相補(bǔ)償電路的每相由動態(tài)補(bǔ)償器構(gòu)成；所述的動態(tài)補(bǔ)償器由電容器(C)串接第一快速熔斷器(RT)及接觸器的觸點(diǎn)(JC)構(gòu)成。

4.如權(quán)利要求1所述的電爐二次低壓補(bǔ)償裝置，其特征在于：所述三相相補(bǔ)償電路的每相由靜態(tài)補(bǔ)償器僅和動態(tài)補(bǔ)償器構(gòu)成；所述每相的電容器(C)包括第一電容器(C1)和第2電容器(C2)，所述的靜態(tài)補(bǔ)償器由第一電容器(C1)構(gòu)成；所述的動態(tài)補(bǔ)償器由第二電容器(C2)串接第一快速熔斷器(RT)及接觸器的觸點(diǎn)(JC)構(gòu)成。

5.如權(quán)利要求1所述的電爐二次低壓補(bǔ)償裝置，其特征在于：所述三相相補(bǔ)償電路采用星接或角接、單相連接。

6.如權(quán)利要求1所述的電爐二次低壓補(bǔ)償裝置，其特征在于：所述的補(bǔ)償系統(tǒng)短網(wǎng)(BD)上串接第二快速熔斷器(RT。)及電抗(X)。

7.如權(quán)利要求6所述的電爐二次低壓補(bǔ)償裝置，其特征在于：所述電容器(C)、第一電容器(C1)或第2電容器(C2)，可以是由二個或多個電容器并聯(lián)構(gòu)成的電容器組。