[發(fā)明專利]一種高性能ZnO MSM型紫外光電導(dǎo)探測(cè)器的制備方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710017789.1
• 申請(qǐng)日: 2007-04-30
• 公開（公告）號(hào): CN101055903A
• 公開（公告）日: 2007-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張景文;畢臻;邊旭明;徐慶安;楊曉東;侯洵
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安交通大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 李鄭建

1.一種ZnO?MSM型紫外光電導(dǎo)探測(cè)器的制備方法，其特征在于，該方法包括下列步驟：

1)將襯底按照常規(guī)工藝清洗并烘干，去除表面吸附的雜質(zhì)和水蒸汽，再將襯底放入真空系統(tǒng)中，生長(zhǎng)時(shí)ZnO陶瓷靶材與襯底均水平放置，垂直距離為7cm；

2)生長(zhǎng)前將真空系統(tǒng)預(yù)抽真空到10^-4Pa，然后緩慢通入氧氣和氬氣，同時(shí)調(diào)節(jié)氧氣和氬氣的流量比到1：2，把兩者的混合氣體通入真空室，再使真空室氣壓保持為1Pa～1.5Pa；

3)打開射頻源，調(diào)節(jié)射頻功率為100W～200W，開始生長(zhǎng)ZnO薄膜，生長(zhǎng)時(shí)間為3～5小時(shí)，生長(zhǎng)的ZnO薄膜厚度為150nm～500nm；

4)然后將ZnO薄膜水平放置在石英爐內(nèi)，抽真空至10^-3Pa后，通入高純O₂，并緩慢升溫至900℃保持一個(gè)小時(shí)，并使?fàn)t內(nèi)O₂氣壓保持在9.0×10⁴Pa～1.0×10⁵Pa；

5)最后，在ZnO薄膜表面用光刻方法制作叉指電極，再用熱蒸發(fā)或射頻濺射方法，在表面沉積厚度為200nm的金屬Al或者ITO透明導(dǎo)電薄膜作為歐姆接觸電極，并用常規(guī)的剝離的方法即可獲得ZnOMSM型紫外光電導(dǎo)探測(cè)器；

其中，叉指電極的對(duì)數(shù)為30～50對(duì)，叉指電極間距和指寬分別為10μm和30μm；

6)將ZnO?MSM型紫外光電導(dǎo)探測(cè)器在真空中退火處理30分鐘，以增加ZnO薄膜和歐姆接觸電極的歐姆接觸。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的襯底采用SiO₂/Si、石英玻璃或者藍(lán)寶石。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述的ZnO陶瓷靶材的純度為99.999％。