[發明專利]一種高磷Ni－P－SiC復合鍍層及其制備工藝

無效

• 申請號: 200710015538.X
• 申請日: 2007-05-17
• 公開（公告）號: CN101050525A
• 公開（公告）日: 2007-10-10
• 發明（設計）人: 張樹生;程林;韓克江
• 申請（專利權）人: 山東大學
• 主分類號: C23C18/50
• 分類號: C23C18/50
• 代理公司: 濟南圣達專利商標事務所
• 代理人: 李健康

1、一種高磷Ni-P-SiC化學復合鍍層，其特征在于該鍍層的化學組成和配比分別為：

主鹽NiSO4·6H2O????????????????20～30g/L

還原劑NaH2PO2·H2O?????????????20～40g/L

主絡合劑乳酸???????????????????10～25g/L

輔助絡合劑甘氨酸???????????????5～15g/L

輔助絡合劑EDTA?????????????????5～15g/L

輔助絡合劑檸檬酸???????????????2～10g/L

加速劑丁二酸???????????????????5～15g/L

緩沖劑乙酸鈉???????????????????10～20g/L

穩定劑碘酸鉀???????????????????0.03g/L

表面活性劑十二烷基苯磺酸鈉?????0～120mg/L

碳化硅?????????????????????????0～12g/L。

2、一種高磷Ni-P-SiC化學復合鍍層制備工藝，其特征在于在處理過的SiC中，加入少量的蒸餾水和表面活性劑，先用超聲波分散0.5h，然后加入鍍液中用電動攪拌器攪拌1～2h，將SiC溶液加入到鍍液中配制復合鍍液，磁力攪拌器的攪拌速度控制在200～500r/min之間，適度溫度控制在84～93℃之間，pH值控制在4.8～5.7之間。