[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管模組及其亮度測量方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710014939.3
• 申請日: 2007-06-13
• 公開（公告）號: CN101324323A
• 公開（公告）日: 2008-12-17
• 發(fā)明（設計）人: 林玲
• 申請（專利權(quán)）人: 林玲
• 主分類號: F21V19/00
• 分類號: F21V19/00;H05B37/02;G01J1/00;F21Y101/02
• 代理公司: 廈門原創(chuàng)專利事務所
• 代理人: 徐東峰

1.一種發(fā)光二極管模組，模組中的LED模塊由若干個發(fā)光二極管芯片和/或二極管單燈封裝而成，其特征在于：模塊中有一個或一個以上的發(fā)光二極管芯片或二極管單燈作為光亮度探測器，光亮度探測器也作為電致發(fā)光器件，但同一器件電致發(fā)光與光亮度探測不同時發(fā)生；作為獨立控制元件的光亮度探測器時，與模塊中被檢測的用于非光亮度探測器的發(fā)光二極管單燈或二極管芯片至少有一端不直接連接。

2.一種發(fā)光二極管模組亮度測量方法，其特征在于：

①在LED模塊中，作為光亮度探測器的發(fā)光二極管單燈或二極管芯片的管腳兩端連接上電流表或電流探測電路；

②給非光亮度探測器的發(fā)光二極管單燈或二極管芯片通電，非光亮度探測器的發(fā)光二極管或二極管芯片的輻射光被光亮度探測器所吸收，在電流表或電流探測電路中產(chǎn)生光電流，此光電流值正比于所接收到的輻射光強度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種發(fā)光二極管模組，其特征在于：LED模塊中，發(fā)光二極管芯片含AlGaInN或AlGaInP材料；與非光亮度探測器的發(fā)光二極管或二極管芯片的發(fā)光波長相比，作為光亮度探測器的發(fā)光二極管單燈或二極管芯片的發(fā)光波長較長或與其相近。