[發明專利]G3級氮化硅球加工工藝

無效

• 申請號: 200710014442.1
• 申請日: 2007-05-15
• 公開（公告）號: CN101049676A
• 公開（公告）日: 2007-10-10
• 發明（設計）人: 王作山
• 申請（專利權）人: 山東東阿鋼球集團有限公司
• 主分類號: B24B11/00
• 分類號: B24B11/00;C09K3/14
• 代理公司: 濟南圣達專利商標事務所
• 代理人: 王吉勇

1.一種G3級氮化硅球加工工藝，其特征在于，包括以下步驟：

a.消除毛坯工件內應力；

b.粗磨；將步驟a中消除內應力的毛坯工件放入立式循環研球機上進行粗磨加工，并加入油劑和混磨劑，加工后球直徑變動量小于0.5μm，球形誤差小于0.5μm，表面粗糙度小于0.10μm；

c.初研；將粗磨后的工件在立式循環研球機上進行初研加工，并加入油劑和混磨劑，加工后球直徑變動量小于0.25μm，球形誤差小于0.25μm，表面粗糙度Ra小于0.05μm；

d.精研；將初研后的工件在立式循環研球機上進行精研加工，并加入油劑和混磨劑，加工后球直徑變動量小于0.12μm，球形誤差小于0.12μm，表面粗糙度Ra小于0.012μm；

e.超精研；將精研后的工件在立式循環研球機上進行超精研加工，加入油劑，不加混磨劑，加工后球直徑變動量小于0.08μm，球形誤差小于0.08μm，表面粗糙度Ra小于0.010μm；

f.提光處理；將超精研的工件在立式循環研球機上進行提光處理，加工后球表面光亮，球直徑變動量小于0.08μm，球形誤差小于0.08μm，表面粗糙度Ra小于0.010μm；

g.將加工好的氮化硅球取出洗凈，選擇并進行包裝。

2.根據權利1所述的G3級氮化硅球加工工藝，其特征在于：步驟a中所述的消除毛坯工件內應力是指將毛坯工件在加熱設備上加熱6～8小時，達到130～160℃，然后空冷到室溫。

3.根據權利2所述的G3級氮化硅球加工工藝，其特征在于：所述的加熱設備為烘干箱或加熱爐。

4.根據權利1所述的G3級氮化硅球加工工藝，其特征在于：步驟b、c、d和e中的所述的油劑是柴油；所述的混磨劑是由不同工序中的不同粒度的磨料和硬脂酸按重量比1/2～3/4在混磨機上充分混磨制成，并且在步驟b、c和d中每隔30～60分鐘添加一次混磨劑。

5.根據權利4所述的G3級氮化硅球加工工藝，其特征在于：所述的磨料是氧化鋁或碳化硅或碳化硼。

6.根據權利4或5所述的G3級氮化硅球加工工藝，其特征在于：步驟b中磨料粒度為320～300目，加工壓力為1.5～3KN，主軸轉速為60r/min。

7.根據權利4或5所述的G3級氮化硅球加工工藝，其特征在于：步驟c中磨料粒度為320～300目，加工壓力為0.5～1.5KN，主軸轉速為30～40r/min。

8.根據權利4或5所述的G3級氮化硅球加工工藝，其特征在于：步驟d中磨料粒度為300～280目，加工壓力為0.5～1.0KN，主軸轉速為30～40r/min。

9.根據權利1所述的G3級氮化硅球加工工藝，其特征在于：步驟e中加工壓力為0.4～0.8KN，主軸轉速為20～30r/min。

10.根據權利1所述的G3級氮化硅球加工工藝，其特征在于：步驟f中提光處理是在柴油油劑中添加氧化鉻進行研磨提光，其中的參數為：加工壓力為0.4～0.8KN，主軸轉速為20～30r/min。