[發(fā)明專利]鈦鎳形狀記憶合金的低頻阻尼的預測方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710012513.4
• 申請日: 2007-08-20
• 公開（公告）號: CN101109694A
• 公開（公告）日: 2008-01-23
• 發(fā)明（設計）人: 李永華;李玉海;齊廣霞
• 申請（專利權(quán)）人: 沈陽理工大學
• 主分類號: G01N19/00
• 分類號: G01N19/00;G06F17/11
• 代理公司: 沈陽利泰專利代理有限公司
• 代理人: 李樞

1.鈦鎳形狀記憶合金的低頻阻尼的預測方法，其特征在于工作步驟為：

a、實驗測定鈦鎳形狀記憶合金的某振動頻率下的溫度掃描阻尼譜線，要求恒定的加熱或冷卻速率T′≤7℃/分鐘，振動頻率1≤ω≤10Hz；

b、定量計算該頻率下的鈦鎳形狀記憶合金的本征阻尼譜線，具體過程為：選取任意的初始本征阻尼函數(shù)(D_I)_初始，該函數(shù)必須在奧氏體態(tài)阻尼值和馬氏體態(tài)阻尼值之間，計算(D-(D_I)_初始)，計算積分$J\left(T\right)={\∫}_{T_s}^T(D-D_I)\mathrm{\ωdT}$和$J=\left(T_f\right)={\∫}_{T_s}^{T_f}(D-D_I)\mathrm{\ωdT},$根據(jù)公式J(T)/J(T_f)≈f(T)求出相變體積分數(shù)f(T)，通過公式(D_I)₁＝f(T)D_a+[1-f(T)]D_m計算本征阻尼(D_I)₁，然后計算(D-(D_I)₁)，進行迭代計算，直到迭代前后的本征阻尼差值，即(D_I)_i-1與(D_I)_i的差的絕對值小于10^-5，最后得到精確的本征阻尼，精度在5×10^-5內(nèi)；

c、確定該頻率下的鈦鎳形狀記憶合金的瞬態(tài)阻尼譜線，從總的阻尼譜線中減去本征阻尼譜線，得到瞬態(tài)阻尼譜線；

d、預測其他頻率下的瞬態(tài)阻尼譜線，根據(jù)不同頻率的瞬態(tài)阻尼間的定量關(guān)系$\frac{D_T\left({\mathrm{\ω}}_1\right)}{D_T\left({\mathrm{\ω}}_2\right)}={\left(\frac{{\mathrm{\ω}}_2}{{\mathrm{\ω}}_1}\right)}^{0.4},$假設計算得到的頻率ω₁下的瞬態(tài)阻尼為D_T(ω₁)，則可求出其他頻率ω₂下的瞬態(tài)阻尼D_T(ω₂)；

e、預測其他頻率下的阻尼譜線，將計算得到的本征阻尼譜線與所預測的其他頻率下的瞬態(tài)阻尼譜線相加，即得到所預測的其他頻率下的阻尼譜線，阻尼譜線的峰值的相對誤差約為3.1-3.3％。