[發明專利]一種刻蝕基板法外延定向生長氮化物納米片網格的方法

無效

• 申請號: 200710010519.8
• 申請日: 2007-03-01
• 公開（公告）號: CN101256950A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發明（設計）人: 叢洪濤;唐永炳;成會明
• 申請（專利權）人: 中國科學院金屬研究所
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;H01L21/306;H01J9/02
• 代理公司: 沈陽晨創科技專利代理有限責任公司
• 代理人: 張致仁

1.?一種刻蝕基板法外延定向生長AlN納米片網格的方法，其特征在于：所述的刻蝕基板法外延定向生長AlN納米片網格的方法為采用刻蝕Si基板和反應物氣相蒸發法制備垂直排列的AlN納米片蜂窩狀網格，首先，用含1-5％的氫氟酸或鹽酸腐蝕液刻蝕Si片1-20min，然后去除表面的氧化硅薄膜，用Al+AlCl₃作反應物放置在真空CVD爐的恒溫區，刻蝕后的Si片作沉積基板放在出氣端，用蒸發法制備出具有蜂窩狀網格形狀的AlN納米片。

2.?按照權利要求1所述的刻蝕基板法外延定向生長AlN納米片網格的方法，其特征在于：所述的刻蝕Si基板時用的腐蝕液優選為濃度是2％的氫氟酸腐蝕液。

3.?按照權利要求1所述的刻蝕基板法外延定向生長AlN納米片網格的方法，其特征在于：所述的刻蝕Si基板時用的腐蝕液優選為濃度是1％的鹽酸腐蝕液。

4.?按照權利要求1所述的刻蝕基板法外延定向生長AlN納米片網格的方法，其特征在于：所述的去除表面的氧化硅薄膜的方法為，用丙酮和去離子水清洗2-5次。

5.?按照權利要求1所述的刻蝕基板法外延定向生長AlN納米片網格的方法，其特征在于：所述的蒸發法為，在1200℃下通N₂氣蒸發30-90分鐘，爐管壓力保持在1-10Torr下。