[發(fā)明專利]鈷釩超高密度垂直磁記錄介質(zhì)及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710009898.9 | 申請日： | 2007-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN101174424A | 公開（公告）日： | 2008-05-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王翠萍;李甜;劉興軍;黃藝雄;張錦彬;施展;馬云慶 | 申請（專利權(quán)）人： | 廈門大學(xué) |
| 主分類號： | G11B5/64 | 分類號： | G11B5/64;G11B5/851 |
| 代理公司： | 廈門南強(qiáng)之路專利事務(wù)所 | 代理人： | 馬應(yīng)森 |
| 地址： | 361005福*** | 國省代碼： | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 超高 密度 垂直 記錄 介質(zhì) 及其 制備 方法 | ||
1.鈷釩超高密度垂直磁記錄介質(zhì)，其特征在于所述的鈷釩超高密度垂直磁記錄介質(zhì)為HCP結(jié)構(gòu)的多晶組織，其中釩原子百分比為13％～24％，厚度為200～600nm。
2.如權(quán)利要求1所述的鈷釩超高密度垂直磁記錄介質(zhì)的制備方法，其特征在于包括以下步驟：
1)將清洗好的玻璃基片裝入濺射室，同時安裝鈷靶，在鈷靶上放置用于調(diào)節(jié)釩含量的釩片；
2)對濺射室進(jìn)行抽氣直至本底真空優(yōu)于5×10-4Pa；
3)加熱濺射室，保持基片溫度在200～300℃；
4)通入Ar氣，氣壓保持在0.6～0.7Pa，然后起輝先預(yù)濺射至少10min，清潔靶面，最后濺射沉積20～60min，得到鈷釩超高密度垂直磁記錄介質(zhì)。
3.如權(quán)利要求2所述的鈷釩超高密度垂直磁記錄介質(zhì)的制備方法，其特征在于步驟1中的清洗用酒精，丙酮，蒸餾水超聲洗凈，然后用鉻酸浸泡至少8h，再用蒸餾水洗凈，最后用氮氣槍吹干。
4.如權(quán)利要求2所述的鈷釩超高密度垂直磁記錄介質(zhì)的制備方法，其特征在于步驟4中最后濺射的功率為200～300W。
5.如權(quán)利要求2所述的鈷釩超高密度垂直磁記錄介質(zhì)的制備方法，其特征在于步驟4中最后濺射的靶距為7cm。
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