[發明專利]一種耐高溫高光學反射的導電薄膜及其制備方法

無效

• 申請號: 200710009719.1
• 申請日: 2007-10-29
• 公開（公告）號: CN101186128A
• 公開（公告）日: 2008-05-28
• 發明（設計）人: 賴發春;呂晶;黃志高;林麗梅;吳小春
• 申請（專利權）人: 福建師范大學
• 主分類號: B32B15/04
• 分類號: B32B15/04;B32B9/00;C23C14/56;C23C14/58;H01B5/00;H01B13/00;G02B1/00
• 代理公司: 福州元創專利代理有限公司
• 代理人: 蔡學俊

1.一種耐高溫高光學反射的導電薄膜，其特征是：該薄膜材料包括由由無機氧化物構成的基片層、由單種或多種金屬薄膜構成的薄膜緩沖層、由金屬銀構成的薄膜導電層、由金屬氧化物構成的薄膜保護層，且至下而上逐層排列。

2.根據權利要求1所述的耐高溫高光學反射的導電薄膜，其特征在于所述的薄膜導電層由金屬銀構成，其厚度為150-300納米。

3.根據權利要求1所述的耐高溫高光學反射的導電薄膜，其特征在于所述的薄膜緩沖層是單種或多種金屬單質構成的單層或多層薄膜，其厚度為10到40納米。

4.根據權利要求3所述的耐高溫高光學反射的導電薄膜，其特征在于所述的單層薄膜時使用的金屬是銅、鋁、鐵、鉻、鎳、鈦或鈮單質單獨構成，或者是上述金屬中兩種或多種金屬混合構成。

5.根據權利要求3所述的導電薄膜，其特征在于所述的多層薄膜時使用的金屬可以是銅、鋁、鐵、鉻、鎳、鈦或鈮單質中兩種或多種金屬組成的兩層或多層薄膜。

6.根據權利要求1所述的耐高溫高光學反射的導電薄膜，其特征在于所述的薄膜保護層是指氧化鋅、氧化錫、氧化鈦、氧化鈮、氧化硅、氧化鋁、氧化銦、摻錫氧化銦或摻鋁氧化鋅構成，其厚度為5-15納米。

7.根據權利要求1所述的耐高溫高光學反射的導電薄膜，其特征在于所述的基片層材料是指氧化鋁、光學玻璃、石英、硅片或云母。

8.一種耐高溫高光學反射的導電薄膜的制備方法，其特征是通過以下步驟實現：

(1)薄膜緩沖層的制備??采用鍍膜技術將薄膜緩沖層的材料沉積在基片層的表面，其厚度控制在10到40納米之間；

(2)薄膜導電層的制備??采用鍍膜技術將薄膜導電層的材料沉積在薄膜緩沖層上面，其厚度控制在150到300納米之間；

(3)薄膜保護層的制備??采用鍍膜技術將薄膜保護層的材料沉積在薄膜導電層上面，其厚度控制在5到15納米之間；

(4)薄膜的熱處理??將含有緩沖層、導電層和保護層的薄膜樣品放入馬弗爐中，在大氣條件下，在550℃溫度熱處理2小時。