[發(fā)明專(zhuān)利]用于紫外光探測(cè)器的雙層減反射膜及其制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710008768.3
• 申請(qǐng)日: 2007-03-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101055320A
• 公開(kāi)（公告）日: 2007-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳正云;張峰;朱會(huì)麗
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 廈門(mén)大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): G02B1/10
• 分類(lèi)號(hào): G02B1/10;G02B1/11
• 代理公司: 廈門(mén)南強(qiáng)之路專(zhuān)利事務(wù)所
• 代理人: 馬應(yīng)森

1.用于紫外光探測(cè)器的雙層減反射膜，其特征在于設(shè)有n⁺型4H-SiC襯底，在n⁺型4H-SiC襯底上從下到上依次生長(zhǎng)SiO₂層和Al₂O₃層，其中SiO₂層的厚度為d₁＝λ/2n₁，Al₂O₃層的厚度為d₂＝λ/4n₂，其中λ為光波長(zhǎng)，n₁、n₂分別為SiO₂、Al₂O₃的折射率。

2.如權(quán)利要求1所述的用于紫外光探測(cè)器的雙層減反射膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

1)襯底的清洗：

a.依次用甲苯、丙酮和乙醇超聲清洗至少1遍，再用去離子水沖洗，

b.將沖洗后的襯底放入氫氟酸內(nèi)浸泡至少1min，

c.將浸泡氫氟酸后的襯底放入濃硫酸煮至少10min，

d.將煮過(guò)濃硫酸的襯底依次用一號(hào)液和二號(hào)液煮至少10min，再用去離子水沖洗干凈后用氮?dú)獯蹈纱茫惶?hào)液為氨水、過(guò)氧化氫和去離子水的混合液，按體積比氨水∶過(guò)氧化氫∶去離子水＝1∶2∶5，二號(hào)液為鹽酸、過(guò)氧化氫和去離子水的混合液，按體積比鹽酸∶過(guò)氧化氫∶去離子水＝1∶2∶5；

2)將蒸發(fā)源和清洗后的襯底放入電子束蒸發(fā)設(shè)備的蒸發(fā)腔腔體內(nèi)；

3)封閉蒸發(fā)腔腔體，抽真空，真空度至少3.0×10^-3Pa；

4)預(yù)熔蒸發(fā)源，同時(shí)通氧氣，用電子束轟擊蒸發(fā)源進(jìn)行鍍膜；

5)對(duì)蒸發(fā)腔放氣降溫至室溫，取出樣品。

3.如權(quán)利要求2所述的用于紫外光探測(cè)器的雙層減反射膜的制備方法，其特征在于蒸發(fā)源為Al₂O₃和JGS1石英晶體。

4.如權(quán)利要求2所述的用于紫外光探測(cè)器的雙層減反射膜的制備方法，其特征在于封閉蒸發(fā)腔腔體后，升溫至250～350℃。